Sàbọ́ọ̀tì SiC fún ìbòrí fíìmù CVD

Ifipamọ Ooru Kemikali

Oxide ìgbóná kẹ́míkà (CVD) jẹ́ ìlànà ìdàgbàsókè onílànà níbi tí gaasi tó ń ṣáájú yóò ti fi fíìmù tín-ín-rín kan sí orí wafer kan nínú reactor kan. Ìlànà ìdàgbàsókè náà jẹ́ ìwọ̀n otútù kékeré, ó sì ní ìwọ̀n ìdàgbàsókè tó ga jù ní ìfiwéra pẹ̀lúohun elo afẹfẹ gbonaÓ tún ń mú àwọn ìpele silicon dioxide tín-ín-rín jáde nítorí pé a máa ń gbé fíìmù náà jáde dípò kí a gbìn ín. Ìlànà yìí ń mú fíìmù kan jáde pẹ̀lú agbára ìdènà iná mànàmáná gíga, èyí tí ó dára fún lílò nínú àwọn ẹ̀rọ IC àti MEMS, láàárín ọ̀pọ̀lọpọ̀ àwọn ohun èlò míràn.

A máa ń ṣe oxide oníná tí a fi ń kó oògùn jáde (CVD) nígbà tí a bá nílò ìpele òde ṣùgbọ́n a lè má lè fi oògùn sí ohun èlò tí a fi silicon ṣe.

Ìdàgbàsókè Ìtújáde Afẹ́fẹ́ Kẹ́míkà:

Ìdàgbàsókè CVD máa ń wáyé nígbà tí a bá gbé gaasi tàbí èéfín (precursor) sínú reactor tí ó ní iwọ̀n otútù díẹ̀ níbi tí a ti ṣètò àwọn wafers yálà ní inaro tàbí ní ìlà. Gaasi náà máa ń lọ láàárín ètò náà, ó sì máa ń pín káàkiri ojú àwọn wafers náà. Bí àwọn precursors wọ̀nyí ṣe ń lọ láàárín reactor náà, àwọn wafers náà máa ń bẹ̀rẹ̀ sí í fà wọ́n mọ́ ojú wọn.

Nígbà tí àwọn ohun tí ó ń ṣáájú bá ti pín káàkiri gbogbo ètò náà, àwọn ìṣiṣẹ́ kẹ́míkà bẹ̀rẹ̀ ní ojú àwọn ohun èlò tí ó wà ní ìsàlẹ̀. Àwọn ìṣiṣẹ́ kẹ́míkà wọ̀nyí bẹ̀rẹ̀ gẹ́gẹ́ bí erékùṣù, bí iṣẹ́ náà sì ṣe ń tẹ̀síwájú, àwọn erékùṣù náà ń dàgbàsókè wọ́n sì ń para pọ̀ láti ṣẹ̀dá fíìmù tí a fẹ́. Àwọn ìṣiṣẹ́ kẹ́míkà máa ń ṣẹ̀dá àwọn ohun èlò méjì lórí ojú àwọn ohun èlò kéékèèké náà, èyí tí ó ń tàn káàkiri ìpele ààlà tí ó sì ń ṣàn jáde láti inú ohun èlò kéékèèké náà, tí ó sì fi àwọn ohun èlò kéékèèké náà sílẹ̀ pẹ̀lú àwọ̀ fíìmù tí a fi pamọ́ sínú wọn.

Àwòrán 1

Àwọn Àǹfààní Ìtújáde Afẹ́fẹ́ Kẹ́míkà:

• Ilana idagbasoke iwọn otutu kekere.
• Oṣuwọn idogo iyara (paapaa APCVD).
• Ko ni lati jẹ ipilẹ silikoni.
• Idena igbesẹ ti o dara (paapaa PECVD).

Àwòrán 2
Ìfipamọ́ sílíkọ́nì dáìṣírò àti ìdàgbàsókè

Fun alaye siwaju sii lori ifipamọ eefin kemikali tabi lati beere fun idiyele kan, jọwọKÀNṢẸ́ SVMlónìí láti bá ọmọ ẹgbẹ́ kan nínú ẹgbẹ́ títà ọjà wa sọ̀rọ̀.

Awọn oriṣi CVD

LPCVD

Ìfipamọ́ ooru kẹ́míkà tí ó ní ìfúnpọ̀ díẹ̀ jẹ́ ìlànà ìfipamọ́ ooru kẹ́míkà tí ó wọ́pọ̀ láìsí ìfúnpọ̀. Ìyàtọ̀ pàtàkì láàrín LPCVD àti àwọn ọ̀nà CVD mìíràn ni ìwọ̀n otútù ìfipamọ́. LPCVD ń lo ìwọ̀n otútù tí ó ga jùlọ láti fi fíìmù pamọ́, nígbà gbogbo ó máa ń ju 600°C lọ.

Ayika titẹ kekere naa ṣẹda fiimu ti o dọgba pẹlu mimọ giga, atunjade, ati iwọntunwọnsi. Eyi ni a ṣe laarin 10 – 1,000 Pa, lakoko ti titẹ yara deede jẹ 101,325 Pa. Iwọn otutu pinnu sisanra ati mimọ ti awọn fiimu wọnyi, pẹlu iwọn otutu ti o ga julọ ti o yorisi awọn fiimu ti o nipọn ati mimọ diẹ sii.

• Àwọn fíìmù tí a sábà máa ń fi pamọ́:polysilikọni, àwọn oxide tí a ti mu àti èyí tí a kò tíì mu,àwọn nitrides.

PECVD

Ìgbékalẹ̀ ìgbóná kẹ́míkà tí a mú dara sí i nínú plasma jẹ́ ọ̀nà ìgbékalẹ̀ ìgbóná kẹ́míkà tí ó ní ìwọ̀n otútù díẹ̀, tí ó sì ga. PECVD máa ń wáyé nínú reactor CVD pẹ̀lú àfikún plasma, èyí tí ó jẹ́ gaasi tí a ti ionized díẹ̀ pẹ̀lú akoonu elekitironi tí ó ní ìwọ̀n gíga (~50%). Ọ̀nà ìgbékalẹ̀ ìgbóná kékeré ni èyí tí ó ń wáyé láàrín 100°C – 400°C. A lè ṣe PECVD ní ìwọ̀n otútù kékeré nítorí pé agbára láti inú àwọn elekitironi tí ó ní òmìnira máa ń ya àwọn gaasi tí ń ṣiṣẹ́ padà láti ṣẹ̀dá fíìmù kan lórí ojú wafer.

Ọna ifipamọ yii lo awọn oriṣi pilasima meji oriṣiriṣi:

1. Òtútù (tí kìí ṣe ooru): àwọn elekitironi ní ìwọ̀n otútù tó ga ju àwọn èròjà aláìlágbára àti àwọn ion lọ. Ọ̀nà yìí ń lo agbára elekitironi nípa yíyí ìfúnpọ̀ padà nínú yàrá ìfipamọ́.
2. Ooru: awọn elekitironi jẹ iwọn otutu kanna bi awọn patikulu ati awọn ion ninu yara ifipamọ.

Nínú yàrá ìpamọ́, a máa ń fi fóltéèjì rédíò ránṣẹ́ láàrín àwọn elektíródì lókè àti ní ìsàlẹ̀ wafer náà. Èyí máa ń gba agbára sí àwọn elektírónì náà, ó sì máa ń pa wọ́n mọ́ ní ipò tó dùn mọ́ni láti lè fi fíìmù tí a fẹ́ sí i.

Awọn igbesẹ mẹrin lo wa lati dagba awọn fiimu nipasẹ PECVD:

1. Fi wafer afojusun sori elekitirodu kan ninu yara ifipamọ.
2. Ṣe àgbékalẹ̀ àwọn gáàsì àti àwọn èròjà ìfipamọ́ sí yàrá náà.
3. Fi plasma ran laarin awọn elekitirodu ki o si lo foliteji lati ru plasma naa soke.
4. Gáàsì tí ń ṣiṣẹ́ máa ń ya ara rẹ̀ sọ́tọ̀, ó sì máa ń ṣe pẹ̀lú ojú wafer láti ṣẹ̀dá fíìmù tín-ín-rín, àwọn ohun tí ó jáde láti inú yàrá náà sì máa ń tàn kálẹ̀.

• Àwọn fíìmù tí a sábà máa ń fi pamọ́: silicon oxides, silicon nitride, amorphous silicon,àwọn ohun èlò bíi silikoni oxynitrides (Si)_xO_yN_z).

APCVD

Ìfipamọ́ èéfín kẹ́míkà ìfúnpọ̀ ojú ọ̀run jẹ́ ọ̀nà ìfipamọ́ èéfín kékeré tí ó ń wáyé nínú ilé ìtura ní ìwọ̀n ìfúnpọ̀ ojú ọ̀run déédéé. Gẹ́gẹ́ bí àwọn ọ̀nà CVD mìíràn, APCVD nílò gaasi tí ó ń ṣáájú nínú yàrá ìfipamọ́, lẹ́yìn náà ìwọ̀n otútù náà ń ga díẹ̀díẹ̀ láti mú kí àwọn ìṣesí náà ṣiṣẹ́ lórí ojú wafer kí ó sì fi fíìmù tín-ín-rín sílẹ̀. Nítorí bí ọ̀nà yìí ṣe rọrùn tó, ó ní ìwọ̀n ìfipamọ́ gíga gan-an.

• Àwọn fíìmù tí a sábà máa ń kó pamọ́: àwọn oxides silicon tí a ti fi oògùn pa àti èyí tí a kò tíì fi oògùn pa, silicon nitrides. A tún ń lò ó nínúfifọ.

HDD CVD

Ìfipamọ́ èéfín kẹ́míkà plasma oníwọ̀n gíga jẹ́ ẹ̀yà PECVD tí ó ń lo plasma oníwọ̀n gíga, èyí tí ó ń jẹ́ kí àwọn wafers náà lè hùwà padà pẹ̀lú iwọ̀n otútù tí ó kéré síi (láàrín 80°C sí 150°C) nínú yàrá ìfipamọ́. Èyí tún ń ṣẹ̀dá fíìmù kan tí ó ní agbára ìkún gbọ̀ngàn ńlá.

• Àwọn fíìmù tí a sábà máa ń kó pamọ́: silicon dioxide (SiO2)₂), silikoni nitride (Si₃N₄),silikoni carbide (SiC).

SACVD

Ìfipamọ́ èéfín kẹ́míkà tí ó wà lábẹ́ ojú ọjọ́ yàtọ̀ sí àwọn ọ̀nà míràn nítorí pé ó ń wáyé lábẹ́ ìfúnpá yàrá déédéé ó sì ń lo ozone (O2)₃) láti ran lọ́wọ́ láti mú kí ìṣesí náà lágbára. Ìlànà ìfipamọ́ náà máa ń wáyé ní ìfúnpá tí ó ga ju LPCVD lọ ṣùgbọ́n tí ó kéré sí APCVD, láàárín nǹkan bí 13,300 Pa àti 80,000 Pa. Àwọn fíìmù SACVD ní ìwọ̀n ìfipamọ́ gíga, èyí tí ó sì máa ń sunwọ̀n sí i bí iwọ̀n otútù ṣe ń pọ̀ sí i títí dé nǹkan bí 490°C, nígbà náà ni ó bẹ̀rẹ̀ sí í dínkù.

• Àwọn fíìmù tí a sábà máa ń fi pamọ́:BPSG, PSG,TEOS.

Shandong Zhongpeng Special Ceramics Co., Ltd jẹ́ ọ̀kan lára ​​àwọn ojútùú tuntun seramiki carbide silicon tó tóbi jùlọ ní China. Seramiki ìmọ̀-ẹ̀rọ SiC: Líle Moh jẹ́ 9 (líle New Moh jẹ́ 13), pẹ̀lú resistance tó tayọ sí ìfọ́ àti ìbàjẹ́, ìfọ́ tó dára – resistance tó dára àti anti-oxidation. Ìgbésí ayé iṣẹ́ ọjà SiC jẹ́ ìgbà mẹ́rin sí márùn-ún ju ohun èlò alumina 92% lọ. MOR ti RBSiC jẹ́ ìgbà márùn-ún sí méje ju ti SNBSC lọ, a lè lò ó fún àwọn àwòrán tó díjú jù. Ìlànà ìṣàyẹ̀wò yára, ìfijiṣẹ́ náà jẹ́ bí a ṣe ṣèlérí àti pé dídára rẹ̀ kò ju ti ẹnikẹ́ni lọ. A máa ń tẹra mọ́ ìpèníjà àwọn góńgó wa nígbà gbogbo, a sì máa ń fi ọkàn wa fún àwùjọ.