CVD пленка белән каплау өчен SiC субстраты

Химик пар утырту

Химик пар утырту (ХПО) оксиды - сызыклы үсеш процессы, анда прекурсор газы реакторда пластинага юка пленка урнаштыра. Үсү процессы түбән температурада бара һәм үсеш тизлеге белән чагыштырганда күпкә югарырак.термик оксидШулай ук, пленка үстерелү урынына, күчереп утыртылганга күрә, ул күпкә нечкәрәк кремний диоксиды катламнарын барлыкка китерә. Бу процесс югары электр каршылыгына ия пленка барлыкка китерә, ул башка күп кушымталар арасында интеграль микросхемаларда һәм MEMS җайланмаларында куллану өчен бик яхшы.

Химик пар белән каплау (CVD) оксиды тышкы катлам кирәк булганда башкарыла, ләкин кремний нигезе оксидлашып булмаска мөмкин.

Химик пар утырмаларының үсеше:

CVD үсеше түбән температуралы реакторга газ яки пар (прекурсор) кертелгәндә барлыкка килә, анда пластиналар вертикаль яки горизонталь рәвештә урнашкан. Газ система аша хәрәкәт итә һәм пластиналар өслеге буенча тигез тарала. Бу прекурсорлар реактор аша хәрәкәт иткәндә, пластиналар аларны үз өслегенә сеңдерә башлый.

Прекурсорлар система буенча тигез таралганнан соң, субстратлар өслеге буенча химик реакцияләр башлана. Бу химик реакцияләр утраулар рәвешендә башлана, һәм процесс дәвам иткәндә, утраулар үсә һәм кушылып, кирәкле пленканы барлыкка китерә. Химик реакцияләр пластиналар өслегендә бипродуктлар барлыкка китерә, алар чик катламы аша тарала һәм реактордан агып чыга, пленка каплавы белән пластиналар гына кала.

1 нче рәсем

Химик пар утыртуның файдасы:

• Түбән температурадагы үсеш процессы.
• Тиз утыру тизлеге (бигрәк тә APCVD).
• Кремний субстраты булырга тиеш түгел.
• Баскычларны яхшы каплау (бигрәк тә PECVD).

2 нче рәсем
Кремний диоксиды утырмасы үсешкә каршы

Химик пар утырту турында тулырак мәгълүмат алу яки бәя сорау өчен, зинһар,SVM белән элемтәгә керегезбүген безнең сату командасы әгъзасы белән сөйләшер өчен.

Йөрәк-кан тамырлары авырулары төрләре

LPCVD

Түбән басымлы химик пар белән каплау - басым ясамыйча кулланыла торган стандарт химик пар белән каплау процессы. LPCVD һәм башка CVD ысуллары арасындагы төп аерма - каплау температурасы. LPCVD пленкаларны каплау өчен иң югары температураны куллана, гадәттә 600°C тан югарырак.

Түбән басымлы мохит югары сафлык, кабатланучанлык һәм бер төрлелек белән бик бердәм пленка булдыра. Бу 10 – 1000 Па арасында башкарыла, ә стандарт бүлмә басымы 101325 Па. Температура бу пленкаларның калынлыгын һәм сафлыгын билгели, югарырак температуралар калынрак һәм чистарак пленкалар барлыкка китерә.

• Гадәти сакланган фильмнар:полискремний, легирланган һәм легирланмаган оксидлар,нитридлар.

PECVD

Плазма белән көчәйтелгән химик пар белән каплау - түбән температуралы, югары пленка тыгызлыгы белән каплау ысулы. PECVD CVD реакторында плазма өстәлеп башкарыла, ул өлешчә ионлаштырылган газ, ул югары ирекле электронлы (~50%). Бу - 100°C – 400°C арасында башкарыла торган түбән температуралы каплау ысулы. PECVD түбән температураларда башкарылырга мөмкин, чөнки ирекле электроннардан чыккан энергия реактив газларны диссоциацияли һәм пластина өслегендә пленка барлыкка китерә.

Бу утырту ысулы ике төрле плазма төрен куллана:

1. Салкын (термик булмаган): электроннарның температурасы нейтраль кисәкчәләргә һәм ионнарга караганда югарырак. Бу ысул электроннарның энергиясен утырту камерасындагы басымны үзгәртү юлы белән куллана.
2. Термик: электроннарның температурасы утырма камерасындагы кисәкчәләр һәм ионнар белән бер үк.

Чүпләү камерасы эчендә радиоешлык көчәнеше пластина өстендәге һәм астындагы электродлар арасында җибәрелә. Бу электроннарны зарядлый һәм кирәкле пленканы урнаштыру өчен аларны кузгатылырлык хәлдә тота.

PECVD аша фильмнар үстерүнең дүрт адымы бар:

1. Максатлы пластинаны утырту камерасы эчендәге электродка урнаштырыгыз.
2. Камерага реактив газлар һәм утырма элементларын кертегез.
3. Плазманы электродлар арасына җибәрегез һәм плазманы кузгату өчен көчәнеш кулланыгыз.
4. Реактив газ диссоциацияләнә һәм пластина өслеге белән реакциягә кереп, юка пленка барлыкка китерә, өстәмә продуктлар камерадан чыгып тарала.

• Гадәти пленкалар: кремний оксидлары, кремний нитриды, аморф кремний,кремний оксинитридлары (Si_xO_yN_z).

APCVD

Атмосфера басымы белән химик пар белән каплау - стандарт атмосфера басымында мичтә башкарыла торган түбән температуралы каплау ысулы. Башка CVD ысуллары кебек үк, APCVD өчен каплау камерасы эчендә прекурсор газы кирәк, аннары температура әкренләп күтәрелә, пластина өслегендәге реакцияләрне катализлый һәм юка пленка урнаштыра. Бу ысулның гадилеге аркасында, аның каплау тизлеге бик югары.

• Гадәти пленкалар: легирланган һәм легирланмаган кремний оксидлары, кремний нитридлары. Шулай ук ​​кулланылаяндыру.

HDP CVD

Югары тыгызлыктагы плазма химик пар белән каплау - PECVD версиясе, ул югарырак тыгызлыктагы плазма куллана, бу пластиналарга каплау камерасы эчендә тагын да түбәнрәк температурада (80°C-150°C арасында) реакциягә керергә мөмкинлек бирә. Бу шулай ук ​​траншея тутыру өчен зур мөмкинлекләргә ия пленка булдыра.

• Гадәти пленкалар җыела: кремний диоксиды (SiO₂), кремний нитриды (Si₃N₄),кремний карбиды (SiC).

SACVD

Атмосферадан түбән басымлы химик пар чыгару башка ысуллардан аерылып тора, чөнки ул стандарт бүлмә басымыннан түбәнрәк бара һәм озон (O) куллана.₃) реакцияне катализларга ярдәм итү өчен. Чөкмә процессы LPCVDга караганда югарырак басымда, ләкин APCVDга караганда түбәнрәк, якынча 13,300 Па һәм 80,000 Па арасында бара. SACVD пленкалары югары чөкмә тизлегенә ия һәм температура якынча 490°C кадәр артканда яхшыра, аннары ул кими башлый.

• Гадәти сакланган фильмнар:BPSG, ПСЖ,TEOS.

Shandong Zhongpeng Special Ceramics Co., Ltd - Кытайдагы иң зур кремний карбиды керамика яңа материал чишелешләренең берсе. SiC техник керамикасы: Moh катылыгы 9 (Яңа Moh катылыгы 13), эрозиягә һәм коррозиягә бик яхшы чыдамлык, абразивлыкка каршы торучанлык һәм антиоксидантлык белән аерылып тора. SiC продуктының хезмәт итү вакыты 92% алюминий оксиды материалыннан 4-5 тапкыр озаграк. RBSiC-ның MOR күрсәткече SNBSC-ныкыннан 5-7 тапкыр югарырак, аны катлаулырак формалар өчен кулланырга мөмкин. Бәя бирү процессы тиз, китерү вәгъдә ителгәнчә һәм сыйфат иң яхшысы. Без һәрвакыт максатларыбызга ирешүдә нык торабыз һәм күңелебезне җәмгыятькә бирәбез.