CVD фильм каплау өчен SiC субстрат

Химик парлар

Химик пар парламенты (CVD) оксиды - сызыклы үсеш процессы, анда прекурсор газ реактордагы вафинга нечкә пленка сала. Processсеш процессы түбән температура һәм чагыштырганда күпкә зуррак үсеш темпына ияҗылылык оксиды. Ул шулай ук ​​күпкә нечкә кремний диоксид катламнары җитештерә, чөнки фильм үскәнгә түгел, ә урнаштырылган. Бу процесс бик күп электр каршылыгы булган фильм җитештерә, бу бик күп кушымталар арасында IC һәм MEMS җайланмаларында куллану өчен бик яхшы.

Химик пар парламенты (CVD) оксиды тышкы катлам кирәк булганда башкарыла, ләкин кремний субстрат оксидлаша алмый.

Химик пар парламенты үсеше:

CVD үсеше газ яки пар (прекурсор) түбән температуралы реакторга кертелгәч барлыкка килә, анда вафлар вертикаль яки горизонталь рәвештә урнаштырылган. Газ система аша хәрәкәт итә һәм ваферлар өслегенә тигез бүленә. Бу прекурсорлар реактор аша үткәндә, ваферлар аларны үз өсләренә сеңдерә башлый.

Прекурсорлар система буенча тигез бүленгәч, химик реакцияләр субстратлар өслегендә башлана. Бу химик реакцияләр утраулардан башлана, һәм процесс дәвам иткәндә утраулар үсә һәм кушыла, кирәкле фильм булдыру өчен. Химик реакцияләр ваферлар өслегендә бипродуктлар тудыралар, алар чик катламы аша таралалар һәм реактордан агып чыга, ваферлар гына урнаштырылган кино каплавы белән кала.

Рәсем 1

Химик парны чүпләүнең өстенлекләре:

• Түбән температураның үсеш процессы.
• Тиз чуму дәрәҗәсе (аеруча APCVD).
• Кремний субстрат булырга тиеш түгел.
• Яхшы адымны яктырту (аеруча PECVD).

Рәсем 2
Кремний диоксиды һәм үсеш

Химик парларны чүпләү турында күбрәк мәгълүмат алу яки цитата сорау өчен зинһарСВМ белән элемтәбүген безнең сату коллективы әгъзасы белән сөйләшергә.

CVD төрләре

LPCVD

Түбән басымлы химик пар парламенты - басымсыз стандарт химик пар парлау процессы. LPCVD һәм башка CVD ысуллары арасында төп аерма - чүп температурасы. LPCVD фильмнарны урнаштыру өчен иң югары температураны куллана, гадәттә 600 ° C-тан югары.

Түбән басымлы мохит югары чисталык, репродуктивлык һәм бертөрлелек белән бик бертөрле фильм тудыра. Бу 10 - 1000 Па арасында башкарыла, стандарт бүлмә басымы - 101,325 Па. Температура бу фильмнарның калынлыгын һәм чисталыгын билгели, югары температура калынрак һәм саф фильмнар китерә.

• Гомуми фильмнар:полисиликон, кабатланган һәм ачылмаган оксидлар,нитридлар.

PECVD

Плазманы көчәйтелгән химик пар парламенты - түбән температура, югары кино тыгызлыгы туплау техникасы. PECVD CVD реакторында плазманы кушып була, ул югары ирекле электрон эчтәлеге булган өлешчә ионлаштырылган газ (~ 50%). Бу 100 ° C - 400 ° C арасында булган түбән температураны туплау ысулы. PECVD түбән температурада башкарылырга мөмкин, чөнки ирекле электроннардан алынган энергия реактив газларны вафер өслегендә кино формалаштыру өчен аера.

Бу чүпләү ысулы ике төрле плазманы куллана:

1. Салкын (җылылык булмаган): электроннар нейтраль кисәкчәләргә һәм ионнарга караганда югарырак температурага ия. Бу ысул электрон энергиясен чүп палатасындагы басымны үзгәртеп куллана.
2. Rылылык: электроннар чүпләү камерасындагы кисәкчәләр һәм ионнар белән бер үк температура.

Чүпләү камерасы эчендә радио ешлык көчәнеше электродлар арасында вафер өстендә һәм аста җибәрелә. Бу электроннарны зарядлый һәм кирәкле фильмны урнаштыру өчен дулкынландыргыч хәлдә саклый.

PECVD аша фильмнарны үстерү өчен дүрт адым бар:

1. Максатлы ваферны чүпләү камерасы эчендәге электродка урнаштырыгыз.
2. Палатага реактив газлар һәм чүпләү элементлары белән таныштыру.
3. Электродлар арасында плазма җибәрегез һәм плазманы дулкынландыру өчен көчәнеш кулланыгыз.
4. Реактив газ аерыла һәм вафин өслеге белән реакцияләнә, нечкә пленка ясый, продуктлар палатадан тарала.

• Гомуми фильмнар: кремний оксидлары, кремний нитрид, аморф кремний,кремний оксинитридлары (Si_xO_yN_z).

APCVD

Атмосфера басымы химик парларны чүпләү - түбән температураны туплау техникасы, ул мичтә стандарт атмосфера басымында була. Башка CVD ысуллары кебек, APCVD чүпләү камерасы эчендә прекурсор газ таләп итә, аннары температура әкрен генә күтәрелә, вафин өслегендәге реакцияләрне катализацияләү һәм нечкә пленка урнаштыру. Бу ысулның гадилеге аркасында, ул бик югары чүпләү дәрәҗәсенә ия.

• Гомуми фильмнар: допедлы һәм ачылмаган кремний оксидлары, кремний нитридлары. Шулай ук ​​кулланылааннальинг.

HDP CVD

Highгары тыгызлыктагы плазмалы химик пар парламенты - PECVD версиясе, ул югары тыгызлыктагы плазманы куллана, бу ваферларга чүлмәк камерасы эчендә тагын да түбән температурада (80 ° C-150 ° C) реакция ясарга мөмкинлек бирә. Бу шулай ук ​​зур окоп тутыру мөмкинлеге булган фильм тудыра.

• Гомуми фильмнар: кремний газы (SiO)₂), кремний нитрид (Si₃N₄),кремний карбид (SiC).

SACVD

Субатмосфера басымы химик пар парламенты башка ысуллардан аерылып тора, чөнки ул стандарт бүлмә басымы астында була һәм озон куллана (O)₃) реакцияне катализацияләргә булышу. Чүпләү процессы LPCVD-тан югарырак басымда, ләкин APCVD-тан түбәнрәк, якынча 13,300 Па белән 80,000 Па арасында бара.

• Гомуми фильмнар:BPSG, PSG,TEOS.

Шаньдун Чжунпэнг махсус керамика, LtdЧ Ltd - Кытайдагы иң зур кремний карбид керамик керамик яңа материал чишелешләренең берсе. SiC техник керамикасы: Мохның катылыгы 9 (Яңа Мохның катылыгы 13), эрозиягә һәм коррозиягә искиткеч каршылык, искиткеч абразия - каршылык һәм анти-оксидлаштыру. SiC продуктының хезмәт итү вакыты 92% алумина материалыннан 4-5 тапкыр озынрак. RBSiC MOR SNBSCныкыннан 5-7 тапкыр күбрәк, аны катлаулырак формаларда кулланырга мөмкин. Otитаталау процессы тиз, тапшыру вәгъдә ителгәнчә, сыйфаты икенче урында. Без һәрвакыт үз максатларыбызга каршы торабыз һәм йөрәкләребезне җәмгыятькә кайтарабыз.