SiC substrate yeCVD firimu yekuputira

Tsananguro pfupi:

Kubviswa kweChemical Vapor. Kuiswa kweChemical vapor deposition (CVD) oxide inzira yekukura yakatsetseka apo gasi rinotanga rinoisa firimu rakatetepa pawafer mureactor. Maitiro ekukura aya anodziya uye ane mwero wekukura wakakwira zvikuru kana tichienzanisa nethermal oxide. Inogadzirawo silicon dioxide layers dzakatetepa nekuti firimu rinobviswa, pane kukura. Maitiro aya anogadzira firimu rine resistance yemagetsi yakanyanya, iyo yakanaka kushandiswa muICs neMEMS zvishandiso, pakati pezvimwe zvakawanda...


  • Chiteshi chengarava:Weifang kana Qingdao
  • Kuomarara kweMohs itsva: 13
  • Zvinhu zvikuru zvekugadzira:Silicon Carbide
  • Ruzivo rweChigadzirwa

    ZPC - mugadziri we silicon carbide ceramic

    Matagi eChigadzirwa

    Kudururwa kweUtsi hweMakemikari

    Chemical vapor deposition (CVD) oxide inzira yekukura yakatsetseka apo gasi rinotanga rinoisa firimu rakatetepa pawafer mureactor. Maitiro ekukura acho akaderera uye ane mwero wekukura wakakwira zvikuru kana tichienzanisa nethermal oxideInogadzirawo zvidimbu zvakatetepa zvesilicon dioxide nekuti firimu racho rinobviswa panzvimbo, kwete kukura. Maitiro aya anogadzira firimu rine simba remagetsi rakawanda, iro rakanakira kushandiswa mumidziyo yeIC neMEMS, pakati pezvimwe zvakawanda.

    Chemical vapor deposition (CVD) oxide inoitwa kana paine chikamu chekunze chinodiwa asi silicon substrate ingasakwanise kuoxidized.

    Kukura kweKubviswa kweUtsi hweMakemikari:

    Kukura kweCVD kunoitika kana gasi kana utsi (precursor) zvikaiswa mu reactor inodziya tembiricha yakaderera uko mawafer akarongwa akatwasuka kana kuti akatwasuka. Gasi rinofamba nemusystem uye rinopararira zvakaenzana pamusoro pemawafer. Sezvo mawafer aya achifamba nepakati pe reactor, mawafer anotanga kuanyudza pamusoro pawo.

    Kana zvinhu zvinotangira zvapararira zvakaenzana muhurongwa hwese, maitiro emakemikari anotanga pamusoro pezvinhu zvinoumba makemikari. Maitiro aya emakemikari anotanga sezvitsuwa, uye sezvo maitiro acho achienderera mberi, zvitsuwa zvinokura uye zvinobatana kuti zvigadzire firimu rinodiwa. Maitiro emakemikari anogadzira biproducts pamusoro pemawafers, ayo anopararira nepakati pemuganhu uye anoyerera achibuda mureactor, achisiya mawafers chete nefirimu rawo rakaiswa.

    Mufananidzo 1

    Maitiro ekuisa mhute yemakemikari

     

    (1.) Gasi/Utsi hunotanga kuita zvinhu uye hunogadzira zvitsuwa pamusoro pevhu. (2.) Zvitsuwa zvinokura uye zvinotanga kusangana. (3.) Firimu rinoenderera mberi, rakafanana rinogadzirwa.
     

    Mabhenefiti eKuisa Utsi hweMakemikari:

    • Maitiro ekukura kwekupisa kwakaderera.
    • Kukurumidza kuisa masero (kunyanya APCVD).
    • Hazvifanirwe kunge zviri pasi pesilicon.
    • Kufukidzwa kwakanaka kwematanho (kunyanya PECVD).
    Mufananidzo 2
    CVD vs. Thermal oxideKuiswa kwesilicon dioxide vs. kukura

     


    Kuti uwane rumwe ruzivo nezve chemical vapor deposition kana kukumbira mutengo, ndapotaBATA SVMnhasi kuti nditaure nemumwe wechikwata chedu chekutengesa.


    Mhando dzeCVD

    LPCVD

    Kuisa vapor yemakemikari ane pressure yakaderera inzira yakajairika yekuisa vapor yemakemikari isina pressurization. Musiyano mukuru pakati peLPCVD nedzimwe nzira dzeCVD ikupisa kwekuisa. LPCVD inoshandisa tembiricha yepamusoro kuisa mafirimu, kazhinji pamusoro pe600°C.

    Nzvimbo ine kumanikidzwa kwakaderera inogadzira firimu rakafanana zvikuru rine kuchena kwakanyanya, kugona kudzokororwa, uye kufanana. Izvi zvinoitwa pakati pe10 - 1,000 Pa, nepo kumanikidzwa kwemukamuri kwakajairika kuri 101,325 Pa. Tembiricha ndiyo inosarudza ukobvu uye kuchena kwemafirimu aya, uye tembiricha yakakwira ichikonzera mafirimu akakora uye akachena.

    • Mafirimu akajairika akachengetwa:polysilicon, ma oxide akadhayiwa uye asina kudzorwa,nitrides.

     

    PECVD

    Kuisa plasma makemikari akawedzerwa vapor inzira yekuisa plasma tembiricha yakaderera uye ine firimu rakawanda. PECVD inoitika muCVD reactor nekuwedzerwa plasma, inova gasi rakasanganiswa zvishoma rine maerekitironi akawanda (~50%). Iyi inzira yekuisa plasma tembiricha yakaderera inoitika pakati pe100°C - 400°C. PECVD inogona kuitwa patembiricha yakaderera nekuti simba rinobva kumaerekitironi akasununguka rinoparadzanisa magasi anopindura kuti agadzire firimu pamusoro pewafer.

    Nzira iyi inoshandisa mhando mbiri dzakasiyana dzeplasma:

    1. Kutonhora (kusina kupisa): maerekitironi ane tembiricha yakakwira kupfuura zvimedu zvisina kusimba uye maion. Nzira iyi inoshandisa simba remaerekitironi nekushandura kumanikidzwa mukamuri rekuisa.
    2. Kupisa: maerekitironi akafanana nezvikamu zvemaioni zviri mukamuri rekuisa zvinhu.

    Mukati mekamuri rekuisa, magetsi eredhiyo anotumirwa pakati pemaerekitironi ari pamusoro nepasi pewafer. Izvi zvinochaja maerekitironi uye zvinoachengeta ari mumamiriro ekufara kuitira kuti aise firimu raunoda.

    Kune matanho mana ekukura mafirimu kuburikidza nePECVD:

    1. Isa chifukidziro chewafer paelectrode mukati mekamuri rekuisa zvinhu.
    2. Isa magasi anochinja-chinja uye zvinhu zvinoisa mweya mukamuri.
    3. Tumira plasma pakati pema electrodes woisa voltage kuti plasma iwedzere kusimuka.
    4. Gasi rinoita basa rinopatsanurwa uye rinoita basa nepamusoro pewafer kuti riite firimu rakatetepa, zvinobuda mukamuri.

     

    APCVD

    Kuisa vapor yemakemikari mumhepo inomanikidzwa mumhepo inzira yekuisa vapor tembiricha yakaderera inoitika muchoto padanho remhepo. Kufanana nedzimwe nzira dzeCVD, APCVD inoda gasi rinotangira mukati mekamuri rekuisa vapor, uye tembiricha inokwira zvishoma nezvishoma kuti iite kuti vapor iite mafambiro epa wafer pamusoro uye iite firimu rakatetepa. Nekuda kwekureruka kwenzira iyi, ine mwero wekuisa vapor wakakwira kwazvo.

    • Mafirimu akajairika anoiswa: ma silicon oxides akasanganiswa uye asina kusanganiswa, silicon nitrides. Anoshandiswawo mukunaya.

    HDP CVD

    Kuisa makemikari emupombi weplasma ane density yakakura imhando yePECVD inoshandisa plasma ine density yakawanda, iyo inobvumira mawafers kuti aite netembiricha yakaderera (pakati pe80°C-150°C) mukati mekamuri rekuisa makemikari. Izvi zvinogadzirawo firimu rine kugona kukuru kwekuzadza trench.


    SACVD

    Kuisa vapor yemakemikari mumhepo inomanikidzwa pasi pemhepo yakasiyana nedzimwe nzira nekuti inoitika pasi pedzvinyiriro yemukamuri uye inoshandisa ozone (O2).3) kubatsira kukurudzira reaction. Maitiro ekuisa ganda anoitika nekumanikidzwa kwakanyanya kupfuura LPCVD asi pasi pe APCVD, pakati pe 13,300 Pa ne 80,000 Pa. Mafirimu eSACVD ane mwero wepamusoro wekuisa ganda uye unovandudzika sezvo tembiricha ichiwedzera kusvika pa 490°C, panguva iyo inotanga kudzikira.

    • Mafirimu akajairika akachengetwa:BPSG, PSG,TEOS.

  • Yakapfuura:
  • Zvinotevera:

  • Shandong Zhongpeng Special Ceramics Co., Ltd ndeimwe yemhando huru dzesilicon carbide ceramic itsva muChina. SiC technical ceramic: Kuomarara kwaMoh kwa9 (Kuomarara kwaNew Moh kwa13), nekusimba kwakanaka pakukukurwa nekuora, kusimba kwakanaka - kusimba uye kudzivirira oxidation. Hupenyu hwebasa rechigadzirwa cheSiC hwakareba ka4 kusvika ka5 kupfuura 92% alumina material. MOR yeRBSiC yakapetwa ka5 kusvika ka7 kupfuura SNBSC, inogona kushandiswa kune mamwe maumbirwo akaomarara. Maitiro ekukosha kwemashoko anokurumidza, kuendesa kwacho kwakaitwa sezvakavimbiswa uye mhando yacho haina kukosha. Tinogara tichiramba tichipikisa zvinangwa zvedu uye tinopa moyo yedu kunharaunda.

     

    1 SiC zvedongo fekitari 工厂

    Zvigadzirwa Zvakabatana

    Kutaurirana paWhatsApp paIndaneti!