CVD plyonka örtügi üçin SiC substraty

Himiki bug çökündisi

Himiki bug çökündisi (HBÇ) oksidi reaktordaky plastinkanyň üstüne öňki gazyň inçe örtügini çökdürýän çyzykly ösüş prosesidir. Ösüş prosesi pes temperaturada bolýar we ösüş tizligi bilen deňeşdirilende has ýokarydyr.termal oksidŞeýle hem, plýonka ösdürilip ýetişdirilmän, goýulýandygy sebäpli has inçe kremniý dioksid gatlaklaryny öndürýär. Bu proses ýokary elektrik garşylygyna eýe bolan plýonkany öndürýär, bu bolsa köp sanly beýleki ulanylyşlar bilen birlikde IC-lerde we MEMS enjamlarynda ulanmak üçin ajaýypdyr.

Himiki bug çökündisi (HBÇ) oksidi daşky gatlak gerek bolanda, ýöne kremniý substratynyň oksidlenip bilmejek ýagdaýynda amala aşyrylýar.

Himiki bug çökündisiniň ösüşi:

GWD-niň ösüşi pes temperaturaly reaktora gaz ýa-da bug (prekursor) girizilende ýüze çykýar, ol ýerde waferler dikligine ýa-da keseligine ýerleşdirilýär. Gaz ulgamyň içinden geçýär we waferleriň ýüzüne deň derejede paýlanýar. Bu prekursorlar reaktordan geçende, waferler olary öz ýüzüne siňdirip başlaýar.

Öňbaşçylar ulgamyň ähli ýerine deň derejede ýaýransoň, substratlaryň ýüzünde himiki reaksiýalar başlaýar. Bu himiki reaksiýalar adalar görnüşinde başlaýar we proses dowam edende, adalar ulalýar we islenýän plýonkany döretmek üçin birleşýär. Himiki reaksiýalar waferleriň ýüzünde iki önüm döredýär, olar serhet gatlagyndan ýaýraýar we reaktordan çykýar, diňe waferler çökündi plýonka örtügi bilen galýar.

1-nji surat

Himiki bug çökündisiniň peýdalary:

• Pes temperatura ösüş prosesi.
• Çalt çökündi tizligi (esasanam APCVD).
• Silikon substrat bolmagy hökman däl.
• Basgançak örtügi gowy (esasanam PECVD).

2-nji surat
Kremniý dioksidiniň çökündisi ösüşe garşy

Himiki bug çökündisi barada has giňişleýin maglumat almak ýa-da baha soramak üçin, haýyş edýärisSVM bilen habarlaşyňşu gün satuw toparymyzyň agzasy bilen gürleşmek üçin.

Ýürek-damar keseliniň görnüşleri

LPCVD

Pes basyşly himiki bug çökündisi basyşsyz standart himiki bug çökündisi prosesidir. LPCVD we beýleki CVD usullarynyň arasyndaky esasy tapawut çökündi temperaturasydyr. LPCVD plyonkalary çökündisi üçin iň ýokary temperaturany, adatça 600°C-den ýokary temperaturany ulanýar.

Pes basyşly gurşaw ýokary arassalyk, gaýtalanma we birmeňzeşlik bilen örän birmeňzeş plýonka döredýär. Bu 10–1000 Pa aralygynda ýerine ýetirilýär, standart otag basyşy bolsa 101,325 Pa. Temperatura bu plýonkalaryň galyňlygyny we arassalygyny kesgitleýär, ýokary temperatura bolsa has galyň we has arassa plýonkalaryň emele gelmegine getirýär.

• Umumy filmler goýuldy:polisilikon, lehimlenen we lehimlenmedik oksidler,nitridler.

PECVD

Plazma arkaly güýçlendirilen himiki bug çökündisi pes temperaturaly, ýokary plýonka dykyzlygy çökündisi usulydyr. PECVD, erkin elektron mukdary ýokary (~50%) bolan bölekleýin ionlaşdyrylan gaz bolan plazmanyň goşulmagy bilen CVD reaktorynda amala aşyrylýar. Bu, 100°C – 400°C aralygynda amala aşyrylýan pes temperaturaly çökündisi usulydyr. PECVD pes temperaturada amala aşyrylyp bilner, sebäbi erkin elektronlardan çykýan energiýa reaktiw gazlary dissosiasiýa edip, plýonkanyň ýüzünde plýonka emele getirýär.

Bu çökündi usulynda iki dürli plazma ulanylýar:

1. Sowuk (termal däl): elektronlaryň temperaturasy neýtral bölejiklerden we ionlardan ýokarydyr. Bu usul çökündi kamerasyndaky basyşy üýtgetmek arkaly elektronlaryň energiýasyny ulanýar.
2. Termal: elektronlar çökündi kamerasyndaky bölejikler we ionlar bilen bir temperaturadyr.

Çökdürme kamerasynyň içinde, plastinkanyň ýokarsyndaky we aşagyndaky elektrodlaryň arasynda radioçastotaly naprýaženiýe iberilýär. Bu elektronlary zarýadlaýar we islenýän plýonkany çökdürmek üçin olary tolgundyryjy ýagdaýda saklaýar.

PECVD arkaly filmleri ösdürip ýetişdirmegiň dört ädimi bar:

1. Nyşana waferi çökündi kamerasynyň içindäki elektrodyň üstüne goýuň.
2. Kamera reaktiw gazlary we çökündi elementlerini giriziň.
3. Plazmany elektrodlaryň arasynda iberiň we plazmany gyjyndyrmak üçin naprýaženiýe beriň.
4. Reaktiw gaz dissosasiýa bolýar we plastinkanyň ýüzü bilen reaksiýa girip, inçe plýonka emele getirýär, goşmaça önümler bolsa kameradan daşary ýaýraýar.

• Köp duş gelýän plýonkalar: kremniý oksidleri, kremniý nitridi, amorf kremniý,kremniý oksinitridleri (Si_xO_yN_z).

APCVD

Atmosfera basyşy bilen himiki bug çökündisi standart atmosfera basyşynda peçde geçirilýän pes temperatura çökündisi usulydyr. Beýleki CVD usullary ýaly, APCVD çökündi kamerasynyň içinde öňki gazy talap edýär, soňra plastinkanyň ýüzünde reaksiýalary katalizlemek we inçe plýonka çökündisi üçin temperatura haýal ýokarlanýar. Bu usulyň ýönekeýligi sebäpli, çökündisi örän ýokary tizlige eýedir.

• Köp ulanylýan plýonkalar: lehimlenen we lehimlenmedik kremniý oksidleri, kremniý nitridleri. Şeýle hem ulanylýartawlamak.

HDP CVD

Ýokary dykyzlykly plazma himiki bug çökündisi, PECVD-niň ýokary dykyzlykly plazmany ulanýan görnüşidir, bu bolsa plastinalaryň çökündi kamerasynyň içinde has pes temperaturada (80°C-150°C aralygynda) reaksiýa girmegine mümkinçilik berýär. Bu, şeýle hem ajaýyp hendek doldurmak ukybyna eýe bolan plýonkany döredýär.

• Köplenç ýerleşdirilen plýonkalar: kremniý dioksidi (SiO2)₂), kremniý nitridi (Si₃N₄),kremniý karbidi (SiC).

SACVD

Atmosfera basyşyndan aşak himiki bug çökündisi beýleki usullardan tapawutlanýar, sebäbi ol standart otag basyşyndan aşakda bolýar we ozon (O2) ulanýar.₃) reaksiýany katalizleşdirmäge kömek etmek üçin. Çökdürme prosesi LPCVD-den ýokary basyşda, ýöne APCVD-den pes, takmynan 13,300 Pa bilen 80,000 Pa aralygynda bolup geçýär. SACVD plýonkalary ýokary çökdürme tizligine eýedir we temperatura takmynan 490°C çenli ýokarlananda gowulaşýar, şonda ol peselmäge başlaýar.

• Umumy filmler goýuldy:BPSG, PSŽ,TEOS.

“Shandong Zhongpeng Special Ceramics Co., Ltd” Hytaýdaky iň uly kremniý karbid keramiki täze material çözgütleriniň biridir. SiC tehniki keramikasy: Moh-yň berkligi 9 (Täze Moh-yň berkligi 13), eroziýa we poslama garşy ajaýyp garşylyk, ajaýyp aşynma garşylygy we antioksidasiýa garşylygy bilen tapawutlanýar. SiC önüminiň hyzmat ediş möhleti 92% alýumin oksidi materialyndan 4-5 esse uzyn. RBSiC-niň MOR derejesi SNBSC-den 5-7 esse ýokary, ony has çylşyrymly görnüşler üçin ulanyp bolýar. Baha bermek prosesi çalt, eltip bermek wada berilişi ýaly we hil taýdan iň gowy. Biz maksatlarymyza hemişe garşy durmaga we ýüregimizi jemgyýete bermäge çalyşýarys.