SiC-Substrat fir CVD-Filmbeschichtung

Chemesch Dampoflagerung

Chemesch Dampfdepositiounsoxid (CVD) ass e lineare Wuessprozess, bei deem e Virleefergas eng dënn Schicht op enger Wafer an engem Reaktor ofsetzt. De Wuessprozess ass bei niddreger Temperatur a weist eng vill méi héich Wuessrat am Verglach matthermesch OxidEt produzéiert och vill méi dënn Siliziumdioxidschichten, well de Film ofgebaut gëtt, anstatt gewuess ze ginn. Dëse Prozess produzéiert e Film mat engem héijen elektresche Widderstand, wat super ass fir den Asaz an ICs an MEMS-Geräter, ënner anerem.

Chemesch Gasoflagerung (CVD) Oxid gëtt duerchgefouert wann eng extern Schicht gebraucht gëtt, awer de Siliziumsubstrat net oxidéiere kann.

Wuesstem vun der chemescher Dampfoflagerung:

CVD-Wuesstum geschitt wann e Gas oder Damp (Virleefer) an en Niddregtemperaturreaktor agefouert gëtt, wou d'Waferen entweder vertikal oder horizontal arrangéiert sinn. D'Gas beweegt sech duerch de System a verdeelt sech gläichméisseg iwwer d'Uewerfläch vun de Waferen. Wann dës Virleefer duerch de Reaktor beweegen, fänken d'Waferen un, se op hir Uewerfläch z'absorbéieren.

Soubal d'Virleefer gläichméisseg am System verdeelt sinn, fänken chemesch Reaktiounen laanscht d'Uewerfläch vun de Substrater un. Dës chemesch Reaktioune fänken als Inselen un, an am Laf vum Prozess wuessen d'Inselen a verschmëlzen, fir de gewënschte Film ze bilden. Chemesch Reaktioune kreéieren Nieweprodukter op der Uewerfläch vun de Waferen, déi sech iwwer d'Grenzschicht diffundéieren an aus dem Reaktor fléissen, wouduerch nëmmen d'Waferen mat hirer ofgelagerter Filmbeschichtung iwwreg bleiwen.

Figur 1

Virdeeler vun der chemescher Dampfdepositioun:

• Niddregtemperatur Wuesstumsprozess.
• Schnell Oflagerungsrate (besonnesch APCVD).
• Muss kee Siliziumsubstrat sinn.
• Gudde Schrëttofdeckung (besonnesch PECVD).

Figur 2
Siliziumdioxidoflagerung vs. Wuesstem

Fir méi Informatiounen iwwer chemesch Dampfdepositioun oder fir en Devis unzefroen, w.e.g.KONTAKT SVMhaut fir mat engem Member vun eisem Verkafsteam ze schwätzen.

Aarte vu CVD

LPCVD

Chemesch Gasoflagerung ënner Nidderdrock ass e Standardprozess fir chemesch Gasoflagerung ouni Drock. Den Haaptunterschied tëscht LPCVD an anere CVD-Methoden ass d'Oflagerungstemperatur. LPCVD benotzt déi héchst Temperatur fir Filmer ofzesetzen, typescherweis iwwer 600°C.

Déi niddreg Drockëmfeld erstellt e ganz eenheetleche Film mat héijer Rengheet, Reproduzéierbarkeet an Homogenitéit. Dëst gëtt tëscht 10 - 1.000 Pa duerchgefouert, während de Standardraumdrock 101.325 Pa ass. D'Temperatur bestëmmt d'Déckt an d'Rengheet vun dëse Filmer, woubäi méi héich Temperaturen zu méi décke a méi pure Filmer féieren.

• Allgemeng Filmer deposéiert:Polysilizium, dotiert & ondotiert Oxiden,Nitriden.

PECVD

Plasmaverstäerkt chemesch Gasoflagerung ass eng Oflagerungstechnik bei niddreger Temperatur an héijer Filmdicht. PECVD fënnt an engem CVD-Reaktor mat Zousaz vu Plasma statt, wat e partiell ioniséiert Gas mat engem héije fräien Elektronengehalt (~50%) ass. Dëst ass eng Oflagerungsmethod bei niddreger Temperatur, déi tëscht 100°C - 400°C stattfënnt. PECVD kann bei niddregen Temperaturen duerchgefouert ginn, well d'Energie vun de fräien Elektronen déi reaktiv Gase dissoziéiert fir e Film op der Waferuewerfläch ze bilden.

Dës Oflagerungsmethod benotzt zwou verschidden Zorte vu Plasma:

1. Kal (net-thermesch): Elektronen hunn eng méi héich Temperatur wéi déi neutral Partikelen an Ionen. Dës Method benotzt d'Energie vun den Elektronen andeems den Drock an der Oflagerungskammer geännert gëtt.
2. Thermesch: Elektrone hunn déi selwecht Temperatur wéi d'Partikelen an d'Ionen an der Oflagerungskammer.

An der Oflagerungskammer gëtt Radiofrequenzspannung tëscht Elektroden iwwer an ënner dem Wafer geschéckt. Dëst lued d'Elektronen op an hält se an engem erregbaren Zoustand, fir de gewënschte Film ofzesetzen.

Et gi véier Schrëtt fir Filmer iwwer PECVD ze wuessen:

1. Setzt d'Zilwafer op eng Elektrod an der Oflagerungskammer.
2. Reaktiv Gase an Oflagerungselementer an d'Kammer aféieren.
3. Schéckt Plasma tëscht den Elektroden a leet Spannung un, fir de Plasma unzeréieren.
4. Reaktivt Gas dissoziéiert sech a reagéiert mat der Waferuewerfläch fir e dënne Film ze bilden, Nieweprodukter diffundéieren aus der Kammer.

• Déi heefegst ofgesate Schichten: Siliziumoxiden, Siliziumnitrid, amorpht Silizium,Siliziumoxynitriden (Si_xO_yN_z).

APCVD

Atmosphäresch chemesch Gasoflagerung ass eng Niddertemperaturoflagerungstechnik, déi an engem Uewen bei Standardatmosphärendrock stattfënnt. Wéi aner CVD-Methoden erfuerdert APCVD e Virleefergas an der Oflagerungskammer, duerno klëmmt d'Temperatur lues a lues fir d'Reaktiounen op der Waferuewerfläch ze katalyséieren an e dënne Film ofzesetzen. Wéinst der Einfachheet vun dëser Method huet se eng ganz héich Oflagerungsquote.

• Heefeg ofgesate Filmer: dotiert an ondotiert Siliziumoxiden, Siliziumnitriden. Och benotzt anGlühen.

HDP CVD

Chemesch Dampfoflagerung mat héijer Dichtplasma ass eng Versioun vu PECVD, déi e Plasma mat méi héijer Dicht benotzt, wat et de Waferen erlaabt, mat enger nach méi niddreger Temperatur (tëscht 80°C-150°C) an der Oflagerungskammer ze reagéieren. Dëst erstellt och e Film mat exzellente Grueffëllungsfäegkeeten.

• Heefeg ofgesate Filmer: Siliziumdioxid (SiO₂), Siliziumnitrid (Si₃N₄),Siliziumkarbid (SiC).

SACVD

Chemesch Dampfoflagerung ënner dem Atmosphärendrock ënnerscheet sech vun anere Methoden, well se ënner dem normale Raumdrock stattfënnt an Ozon (O) benotzt.₃) fir d'Reaktioun ze katalyséieren. Den Oflagerungsprozess fënnt bei engem méi héijen Drock wéi LPCVD awer méi niddreg wéi APCVD statt, tëscht ongeféier 13.300 Pa an 80.000 Pa. SACVD-Filmer hunn eng héich Oflagerungsquote, déi sech verbessert wann d'Temperatur eropgeet bis ongeféier 490°C, wou se ufänkt erofzegoen.

• Allgemeng Filmer deposéiert:BPSG, PSG,TEOS.

Shandong Zhongpeng Special Ceramics Co., Ltd ass eng vun de gréisste Léisunge fir nei Materialien am Beräich Siliziumkarbidkeramik a China. Technesch SiC Keramik: D'Moh-Häert ass 9 (Nei Moh-Häert ass 13), mat exzellenter Erosiouns- a Korrosiounsbeständegkeet, exzellenter Abriebsbeständegkeet an Antioxidatiounsbeständegkeet. D'Liewensdauer vum SiC Produkt ass 4 bis 5 Mol méi laang wéi déi vun 92% Aluminiumoxid. De MOR vun RBSiC ass 5 bis 7 Mol sou héich wéi dee vun SNBSC, et kann fir méi komplex Formen benotzt ginn. Den Offerprozess ass séier, d'Liwwerung ass wéi versprach an d'Qualitéit ass oniwwertraff. Mir setzen eis ëmmer fir eis Ziler ze setzen a ginn der Gesellschaft eis Häerzer zréck.