Substrat SiC untuk salutan filem CVD

Pemendapan Wap Kimia

Pemendapan wap kimia (CVD) oksida ialah proses pertumbuhan linear di mana gas prekursor memendapkan filem nipis ke atas wafer dalam reaktor. Proses pertumbuhan adalah pada suhu rendah dan mempunyai kadar pertumbuhan yang jauh lebih tinggi berbanding denganoksida termaIa juga menghasilkan lapisan silikon dioksida yang lebih nipis kerana filem tersebut dideposkan, bukannya ditumbuhkan. Proses ini menghasilkan filem dengan rintangan elektrik yang tinggi, yang sangat bagus untuk digunakan dalam IC dan peranti MEMS, antara banyak aplikasi lain.

Pemendapan wap kimia (CVD) oksida dilakukan apabila lapisan luaran diperlukan tetapi substrat silikon mungkin tidak dapat dioksidakan.

Pertumbuhan Pemendapan Wap Kimia:

Pertumbuhan CVD berlaku apabila gas atau wap (prekursor) dimasukkan ke dalam reaktor suhu rendah di mana wafer disusun sama ada secara menegak atau mendatar. Gas bergerak melalui sistem dan diagihkan secara sama rata di seluruh permukaan wafer. Apabila prekursor ini bergerak melalui reaktor, wafer mula menyerapnya ke permukaannya.

Sebaik sahaja prekursor telah tersebar secara merata ke seluruh sistem, tindak balas kimia bermula di sepanjang permukaan substrat. Tindak balas kimia ini bermula sebagai pulau, dan apabila proses berterusan, pulau-pulau tersebut membesar dan bergabung untuk menghasilkan filem yang diingini. Tindak balas kimia menghasilkan dwiproduk pada permukaan wafer, yang meresap merentasi lapisan sempadan dan mengalir keluar dari reaktor, meninggalkan hanya wafer dengan salutan filem yang termendap.

Rajah 1

Manfaat Pemendapan Wap Kimia:

• Proses pertumbuhan suhu rendah.
• Kadar pemendapan yang cepat (terutamanya APCVD).
• Tidak semestinya substrat silikon.
• Liputan langkah yang baik (terutamanya PECVD).

Rajah 2
Pemendapan silikon dioksida vs. pertumbuhan

Untuk maklumat lanjut tentang pemendapan wap kimia atau untuk meminta sebut harga, silaHUBUNGI SVMhari ini untuk bercakap dengan ahli pasukan jualan kami.

Jenis-jenis CVD

LPCVD

Pemendapan wap kimia tekanan rendah ialah proses pemendapan wap kimia standard tanpa penekanan. Perbezaan utama antara LPCVD dan kaedah CVD yang lain ialah suhu pemendapan. LPCVD menggunakan suhu tertinggi untuk memendapkan filem, biasanya melebihi 600°C.

Persekitaran tekanan rendah menghasilkan filem yang sangat seragam dengan ketulenan, kebolehulangan dan kehomogenan yang tinggi. Ini dilakukan antara 10 – 1,000 Pa, manakala tekanan bilik standard ialah 101,325 Pa. Suhu menentukan ketebalan dan ketulenan filem ini, dengan suhu yang lebih tinggi menghasilkan filem yang lebih tebal dan lebih tulen.

• Filem biasa yang didepositkan:polisilikon, oksida yang didop & tidak didop,nitrida.

PECVD

Pemendapan wap kimia yang dipertingkatkan plasma ialah teknik pemendapan ketumpatan filem bersuhu rendah dan tinggi. PECVD berlaku dalam reaktor CVD dengan penambahan plasma, iaitu gas terion separa dengan kandungan elektron bebas yang tinggi (~50%). Ini ialah kaedah pemendapan suhu rendah yang berlaku antara 100°C – 400°C. PECVD boleh dilakukan pada suhu rendah kerana tenaga daripada elektron bebas memisahkan gas reaktif untuk membentuk filem pada permukaan wafer.

Kaedah pemendapan ini menggunakan dua jenis plasma yang berbeza:

1. Sejuk (bukan terma): elektron mempunyai suhu yang lebih tinggi daripada zarah dan ion neutral. Kaedah ini menggunakan tenaga elektron dengan mengubah tekanan dalam ruang pemendapan.
2. Terma: suhu elektron adalah sama dengan zarah dan ion dalam ruang pemendapan.

Di dalam ruang pemendapan, voltan frekuensi radio dihantar antara elektrod di atas dan di bawah wafer. Ini mengecas elektron dan memastikannya dalam keadaan mudah terangsang untuk memendapkan filem yang diingini.

Terdapat empat langkah untuk mengembangkan filem melalui PECVD:

1. Letakkan wafer sasaran pada elektrod di dalam ruang pemendapan.
2. Masukkan gas reaktif dan elemen pemendapan ke dalam ruang.
3. Hantar plasma antara elektrod dan berikan voltan untuk mengujakan plasma.
4. Gas reaktif terurai dan bertindak balas dengan permukaan wafer untuk membentuk filem nipis, hasil sampingan meresap keluar dari ruang.

• Filem biasa yang termendap: silikon oksida, silikon nitrida, silikon amorfus,silikon oksinitrida (Si_xO_yN_z).

APCVD

Pemendapan wap kimia tekanan atmosfera ialah teknik pemendapan suhu rendah yang berlaku dalam relau pada tekanan atmosfera standard. Seperti kaedah CVD yang lain, APCVD memerlukan gas prekursor di dalam ruang pemendapan, kemudian suhu meningkat secara perlahan-lahan untuk memangkinkan tindak balas pada permukaan wafer dan memendapkan filem nipis. Disebabkan oleh kesederhanaan kaedah ini, ia mempunyai kadar pemendapan yang sangat tinggi.

• Filem biasa yang dimendapkan: oksida silikon yang didop dan tidak didop, silikon nitrida. Juga digunakan dalampenyepuhlindapan.

HDP CVD

Pemendapan wap kimia plasma ketumpatan tinggi ialah versi PECVD yang menggunakan plasma ketumpatan yang lebih tinggi, yang membolehkan wafer bertindak balas dengan suhu yang lebih rendah (antara 80°C-150°C) di dalam ruang pemendapan. Ini juga menghasilkan filem dengan keupayaan pengisian parit yang hebat.

• Filem biasa yang termendap: silikon dioksida (SiO₂), silikon nitrida (Si₃N₄),silikon karbida (SiC).

SACVD

Pemendapan wap kimia tekanan subatmosfera berbeza daripada kaedah lain kerana ia berlaku di bawah tekanan bilik piawai dan menggunakan ozon (O₃) untuk membantu memangkinkan tindak balas. Proses pemendapan berlaku pada tekanan yang lebih tinggi daripada LPCVD tetapi lebih rendah daripada APCVD, antara kira-kira 13,300 Pa dan 80,000 Pa. Filem SACVD mempunyai kadar pemendapan yang tinggi dan bertambah baik apabila suhu meningkat sehingga kira-kira 490°C, dan pada ketika itu ia mula berkurangan.

• Filem biasa yang didepositkan:BPSG, PSG,TEOS.

Shandong Zhongpeng Special Ceramics Co., Ltd merupakan salah satu penyelesaian bahan baharu seramik silikon karbida terbesar di China. Seramik teknikal SiC: Kekerasan Moh ialah 9 (kekerasan Moh Baharu ialah 13), dengan rintangan yang sangat baik terhadap hakisan dan kakisan, rintangan lelasan dan anti-pengoksidaan yang sangat baik. Hayat perkhidmatan produk SiC adalah 4 hingga 5 kali lebih lama daripada bahan alumina 92%. MOR RBSiC adalah 5 hingga 7 kali ganda daripada SNBSC, ia boleh digunakan untuk bentuk yang lebih kompleks. Proses sebut harga adalah cepat, penghantaran adalah seperti yang dijanjikan dan kualitinya tiada tandingan. Kami sentiasa gigih dalam mencabar matlamat kami dan memberikan hati kami kembali kepada masyarakat.