Qayta kristallangan kremniy karbidi (RXSIC, ReSIC, RSIC, R-SIC). Boshlang'ich xom ashyo kremniy karbididir. Zichlashtirish vositalari ishlatilmaydi. Yashil kompaktlar yakuniy konsolidatsiya uchun 2200ºC dan yuqori haroratgacha qizdiriladi. Olingan material taxminan 25% g'ovaklikka ega, bu uning mexanik xususiyatlarini cheklaydi; ammo, material juda sof bo'lishi mumkin. Jarayon juda tejamkor.
Reaksiya Bog'langan Silikon Karbid (RBSIC). Boshlang'ich xom ashyo kremniy karbidi va ugleroddir. Keyin yashil komponent 1450ºC dan yuqori haroratda eritilgan kremniy bilan infiltratsiya qilinadi va quyidagi reaksiyaga kirishadi: SiC + C + Si -> SiC. Mikrotuzilma odatda ma'lum miqdorda ortiqcha kremniyga ega, bu uning yuqori haroratli xususiyatlarini va korroziyaga chidamliligini cheklaydi. Jarayon davomida kichik o'lchamdagi o'zgarishlar yuz beradi; ammo, oxirgi qism yuzasida ko'pincha kremniy qatlami mavjud. ZPC RBSiC ilg'or texnologiyadan foydalanib, aşınmaya bardoshli astar, plitalar, plitkalar, siklon astar, bloklar, tartibsiz qismlar va aşınmaya va korroziyaga chidamli FGD nozullari, issiqlik almashtirgich, quvurlar, naychalar va boshqalarni ishlab chiqaradi.
Nitrid bilan bog'langan kremniy karbidi (NBSIC, NSIC). Boshlang'ich xom ashyo kremniy karbidi va kremniy kukuni hisoblanadi. Yashil kompakt azotli atmosferada yondiriladi, bu yerda SiC + 3Si + 2N2 -> SiC + Si3N4 reaksiyasi sodir bo'ladi. Yakuniy material qayta ishlash jarayonida kichik o'lchamli o'zgarishlarni ko'rsatadi. Material ma'lum darajada g'ovaklikka ega (odatda taxminan 20%).
To'g'ridan-to'g'ri Sinterlangan Silikon Karbid (SSIC). Silikon karbid boshlang'ich xom ashyo hisoblanadi. Zichlanish vositalari bor va ugleroddan iborat bo'lib, zichlanish 2200ºC dan yuqori qattiq holatdagi reaksiya jarayoni orqali sodir bo'ladi. Uning yuqori haroratli xususiyatlari va korroziyaga chidamliligi dona chegaralarida shishasimon ikkinchi faza yo'qligi sababli ustundir.
Suyuq fazali sinterlangan kremniy karbidi (LSSIC). Kremniy karbidi boshlang'ich xom ashyo hisoblanadi. Zichlanish vositalari itriy oksidi va alyuminiy oksididir. Zichlanish 2100ºC dan yuqori haroratda suyuq fazali reaksiya orqali sodir bo'ladi va natijada shishasimon ikkinchi faza hosil bo'ladi. Mexanik xususiyatlar odatda SSIC dan ustundir, ammo yuqori haroratli xususiyatlar va korroziyaga chidamlilik unchalik yaxshi emas.
Issiq presslangan kremniy karbidi (HPSIC). Boshlang'ich xom ashyo sifatida kremniy karbid kukuni ishlatiladi. Zichlanish yordamchilari odatda bor va uglerod yoki itriy oksidi va alyuminiy oksididan iborat. Zichlanish grafit qolip bo'shlig'iga mexanik bosim va haroratni bir vaqtning o'zida qo'llash orqali sodir bo'ladi. Shakllar oddiy plitalardir. Kam miqdordagi sinterlash yordamchilaridan foydalanish mumkin. Issiq presslangan materiallarning mexanik xususiyatlari boshqa jarayonlar taqqoslanadigan asos sifatida ishlatiladi. Elektr xususiyatlari zichlanish yordamchilaridagi o'zgarishlar bilan o'zgartirilishi mumkin.
CVD kremniy karbidi (CVDSIC). Ushbu material kimyoviy bug'lanish (CVD) jarayoni orqali hosil bo'ladi, bu reaksiya: CH3SiCl3 -> SiC + 3HCl. Reaksiya H2 atmosferasida amalga oshiriladi, SiC esa grafit substratiga cho'ktiriladi. Jarayon natijasida juda yuqori tozalikdagi material olinadi; ammo, faqat oddiy plitalar tayyorlanishi mumkin. Reaksiya vaqti sekin bo'lgani uchun jarayon juda qimmat.
Kimyoviy bugʻ kompozit kremniy karbidi (CVCSiC). Bu jarayon grafit holatida deyarli toʻrsimon shakllarga ishlov beriladigan patentlangan grafit prekursoridan boshlanadi. Konversiya jarayoni grafit qismini polikristalli, stexiometrik jihatdan toʻgʻri SiC hosil qilish uchun in situ bugʻ qattiq holatdagi reaksiyaga duchor qiladi. Ushbu qatʼiy boshqariladigan jarayon murakkab dizaynlarni qattiq bardoshlik xususiyatlariga va yuqori tozalikka ega boʻlgan toʻliq konvertatsiya qilingan SiC qismida ishlab chiqarish imkonini beradi. Konversiya jarayoni normal ishlab chiqarish vaqtini qisqartiradi va boshqa usullarga nisbatan xarajatlarni kamaytiradi.* Manba (koʻrsatilgan joylardan tashqari): Ceradyne Inc., Kosta Mesa, Kaliforniya.
Joylashtirilgan vaqt: 2018-yil 16-iyun