Карбиди кремнийи аз нав кристаллшуда (RXSIC, ReSIC, RSIC, R-SIC). Ашёи хоми ибтидоӣ карбиди кремний аст. Ҳеҷ гуна воситаҳои зичкунӣ истифода намешаванд. Компакҳои сабз барои мустаҳкамкунии ниҳоӣ то 2200ºC гарм карда мешаванд. Маводи ҳосилшуда тақрибан 25% сӯрохнокӣ дорад, ки хосиятҳои механикии онро маҳдуд мекунад; аммо, мавод метавонад хеле холис бошад. Раванд хеле иқтисодӣ аст.
Карбиди кремнийи бо реаксияи пайвастшуда (RBSIC). Маводи хоми ибтидоӣ карбиди кремний ва карбон мебошанд. Сипас ҷузъи сабз бо кремнийи гудохта дар ҳарорати аз 1450ºC боло бо реаксияи зерин ворид карда мешавад: SiC + C + Si -> SiC. Микросохтор одатан миқдори муайяни кремнийи зиёдатӣ дорад, ки хосиятҳои ҳарорати баланд ва муқовимати зангзании онро маҳдуд мекунад. Дар давоми раванд тағироти андозаи ночиз ба амал меояд; аммо, аксар вақт дар сатҳи қисми ниҳоӣ қабати кремний мавҷуд аст. ZPC RBSiC технологияи пешрафтаро истифода мебарад, ки рӯйпӯши тобовар ба фарсудашавӣ, плитаҳо, сафолҳо, рӯйпӯши сиклонӣ, блокҳо, қисмҳои номунтазам ва соплоҳои FGD, ивазкунандаи гармӣ, қубурҳо, найчаҳо ва ғайраро бо фарсудашавӣ ва зангзанӣ тобовар истеҳсол мекунад.
Карбиди кремнийи бо нитрид пайвастшуда (NBSIC, NSIC). Маводи хоми ибтидоӣ карбиди кремний ва хокаи кремний мебошанд. Компактҳои сабз дар атмосфераи нитрогенӣ пухта мешаванд, ки дар он ҷо реаксияи SiC + 3Si + 2N2 -> SiC + Si3N4 ба амал меояд. Маводи ниҳоӣ ҳангоми коркард тағироти ночизи андозаро нишон медиҳад. Мавод сатҳи муайяни сӯрохнокӣ (одатан тақрибан 20%) дорад.
Карбиди кремнийи мустақими синтезшуда (SSIC). Карбиди кремний ашёи хоми ибтидоӣ мебошад. Ёрирасонҳои зичкунӣ бор ва карбон мебошанд ва зичкунӣ тавассути раванди реаксияи ҳолати сахт дар ҳарорати болотар аз 2200ºC ба амал меояд. Хусусиятҳои баландиҳарорат ва муқовимати зангзании он аз сабаби набудани фазаи дуюми шишамонанд дар сарҳадҳои дона бартарӣ доранд.
Карбиди силиконии фазаи моеъ (LSSIC). Карбиди силикон ашёи хоми ибтидоӣ мебошад. Воситаҳои зичкунӣ оксиди иттрий ва оксиди алюминий мебошанд. Зичкунӣ дар ҳарорати болотар аз 2100ºC тавассути реаксияи фазаи моеъ ба амал меояд ва боиси фазаи дуюми шишамонанд мегардад. Хусусиятҳои механикӣ одатан аз SSIC бартарӣ доранд, аммо хосиятҳои ҳарорати баланд ва муқовимат ба зангзанӣ он қадар хуб нестанд.
Карбиди силиконии гармфишурдашуда (HPSIC). Хокаи карбиди силикон ҳамчун ашёи хоми ибтидоӣ истифода мешавад. Ёрдамчиёни зичкунӣ одатан бор ва карбон ё оксиди иттрий ва оксиди алюминий мебошанд. Зичкунӣ бо истифода аз фишори механикӣ ва ҳарорат дар дохили ковокии қолаби графитӣ ба амал меояд. Шаклҳо плитаҳои оддӣ мебошанд. Миқдори ками ёрирасонҳои пухташавандаро истифода бурдан мумкин аст. Хусусиятҳои механикии маводҳои гармфишурдашуда ҳамчун асоси муқоиса бо дигар равандҳо истифода мешаванд. Хусусиятҳои электрикиро бо тағирёбии ёрирасонҳои зичкунӣ тағйир додан мумкин аст.
Карбиди кремнийи CVD (CVDSIC). Ин мавод тавассути раванди таҳшиншавии буғи кимиёвӣ (CVD), ки реаксияи зеринро дар бар мегирад, ба вуҷуд меояд: CH3SiCl3 -> SiC + 3HCl. Реаксия дар атмосфераи H2 бо таҳшиншавии SiC ба рӯи субстрати графитӣ анҷом дода мешавад. Дар натиҷа, маводи хеле тозагии баланд ба даст меояд; аммо, танҳо плитаҳои оддӣ сохта мешаванд. Ин раванд аз сабаби суръати сусти реаксия хеле гарон аст.
Карбиди кремнийи композитии буғи кимиёвӣ (CVCSiC). Ин раванд бо прекурсори графити хусусӣ оғоз мешавад, ки дар ҳолати графит ба шаклҳои наздик ба шабака коркард мешавад. Раванди табдилдиҳӣ қисми графитро ба реаксияи ҳолати сахти буғи in situ дучор мекунад, то SiC-и поликристаллӣ ва аз ҷиҳати стехиометрӣ дурустро ба вуҷуд орад. Ин раванди сахт назоратшаванда имкон медиҳад, ки тарҳҳои мураккаб дар қисми пурра табдилёфтаи SiC, ки дорои хусусиятҳои таҳаммулпазирии сахт ва покии баланд аст, истеҳсол карда шаванд. Раванди табдилдиҳӣ вақти муқаррарии истеҳсолро кӯтоҳ мекунад ва хароҷотро нисбат ба дигар усулҳо кам мекунад.* Манбаъ (ба истиснои ҷойҳои қайдшуда): Ceradyne Inc., Коста Меса, Калифорния.
Вақти нашр: 16 июни соли 2018