Rekristallisearre silisiumkarbid (RXSIC, ReSIC, RSIC, R-SIC). De útgongsmateriaal is silisiumkarbid. Der wurde gjin ferdichtingsmiddels brûkt. De griene kompakten wurde ferwaarme ta mear as 2200ºC foar definitive konsolidaasje. It resultearjende materiaal hat sawat 25% porositeit, wat de meganyske eigenskippen beheint; it materiaal kin lykwols tige suver wêze. It proses is tige ekonomysk.
Reaksjebondele silisiumkarbide (RBSIC). De útgongsmaterialen binne silisiumkarbide plus koalstof. De griene komponint wurdt dan infiltrearre mei smelten silisium boppe 1450ºC mei de reaksje: SiC + C + Si -> SiC. De mikrostruktuer hat oer it algemien in hoemannichte oerskot oan silisium, wat de hege-temperatuereigenskippen en korrosjebestriding beheint. Der komt in lytse diminsjele feroaring foar tidens it proses; lykwols is der faak in laach silisium oanwêzich op it oerflak fan it definitive ûnderdiel. ZPC RBSiC wurdt brûkt mei de avansearre technology, en produseart de wearbestindige bekleding, platen, tegels, sykloonbekleding, blokken, unregelmjittige ûnderdielen, en wear- en korrosjebestridende FGD-nozzles, waarmtewikseler, pipen, buizen, ensafuorthinne.
Nitride-bonded siliciumkarbide (NBSIC, NSIC). De útgongsmaterialen binne siliciumkarbide plus siliciumpoeier. De griene kompakt wurdt bakt yn in stikstofatmosfear dêr't de reaksje SiC + 3Si + 2N2 -> SiC + Si3N4 plakfynt. It definitive materiaal fertoant in lytse dimensjonele feroaring tidens de ferwurking. It materiaal fertoant in bepaalde mjitte fan porositeit (meastal sawat 20%).
Direkt sintere silisiumkarbide (SSIC). Silisiumkarbide is it útgongsmateriaal. Fertichtingsmiddels binne boar plus koalstof, en fertichting fynt plak troch in fêste-stofreaksjeproses boppe 2200ºC. De hege temperatuereigenskippen en korrosjebestriding binne superieur fanwegen it ûntbrekken fan in glêzige twadde faze oan 'e kerrelgrinzen.
Sinterearre silisiumkarbid yn floeibere faze (LSSIC). Silisiumkarbid is de útgongsmateriaal. Fertichtingsmiddels binne yttriumokside plus aluminiumokside. Fertichtings bart boppe 2100ºC troch in reaksje yn floeibere faze en resultearret yn in glêzige twadde faze. De meganyske eigenskippen binne oer it algemien superieur oan SSIC, mar de hege-temperatuereigenskippen en de korrosjebestriding binne net sa goed.
Hjitparse silisiumkarbid (HPSIC). Silisiumkarbidpoeier wurdt brûkt as útgongsmateriaal. Fertichtingsmiddels binne oer it generaal boar plus koalstof of yttriumokside plus aluminiumokside. Fertichting bart troch in simultane tapassing fan meganyske druk en temperatuer yn in grafytmatrijsholte. De foarmen binne ienfâldige platen. Lege hoemannichten sinteringsmiddels kinne brûkt wurde. Mechanyske eigenskippen fan hjitparse materialen wurde brûkt as basisline wêrmei't oare prosessen fergelike wurde. Elektryske eigenskippen kinne feroare wurde troch feroaringen yn 'e fertichtingsmiddels.
CVD Silisiumkarbide (CVDSIC). Dit materiaal wurdt foarme troch in gemysk dampôfsettingsproses (CVD) wêrby't de folgjende reaksje ûntstiet: CH3SiCl3 -> SiC + 3HCl. De reaksje wurdt útfierd ûnder in H2-atmosfear, wêrby't de SiC op in grafytsubstraat ôfset wurdt. It proses resultearret yn in materiaal mei in tige hege suverens; lykwols kinne allinich ienfâldige platen makke wurde. It proses is tige djoer fanwegen de trage reaksjetiden.
Gemysk dampkomposit silisiumkarbid (CVCSiC). Dit proses begjint mei in eigen grafytfoargonger dy't yn hast nettofoarmen yn 'e grafytsteat bewurke wurdt. It konverzjeproses ûnderwurpet it grafytûnderdiel oan in in situ dampfêste-steatreaksje om in polykristallijn, stoichiometrysk korrekt SiC te produsearjen. Dit strak kontroleare proses makket it mooglik om yngewikkelde ûntwerpen te produsearjen yn in folslein konvertearre SiC-ûnderdiel dat strakke tolerânsjefunksjes en hege suverens hat. It konverzjeproses ferkoartet de normale produksjetiid en ferleget de kosten yn ferliking mei oare metoaden.* Boarne (útsein wêr oanjûn): Ceradyne Inc., Costa Mesa, Kalifornje.
Pleatsingstiid: 16 juny 2018