Silikon Karbida Terhablur Semula (RXSIC, ReSIC, RSIC, R-SIC). Bahan mentah permulaan ialah silikon karbida. Tiada alat bantu pemadatan digunakan. Padatan hijau dipanaskan sehingga melebihi 2200ºC untuk penyatuan akhir. Bahan yang terhasil mempunyai kira-kira 25% keliangan, yang mengehadkan sifat mekanikalnya; walau bagaimanapun, bahan tersebut boleh menjadi sangat tulen. Prosesnya sangat menjimatkan.
Silikon Karbida Berikat Tindak Balas (RBSIC). Bahan mentah permulaan ialah silikon karbida campur karbon. Komponen hijau kemudiannya disusupi dengan silikon cair pada suhu melebihi 1450ºC dengan tindak balas: SiC + C + Si -> SiC. Mikrostruktur secara amnya mempunyai sedikit silikon berlebihan, yang mengehadkan sifat suhu tinggi dan rintangan kakisannya. Perubahan dimensi kecil berlaku semasa proses; walau bagaimanapun, lapisan silikon sering terdapat pada permukaan bahagian akhir. ZPC RBSiC menggunakan teknologi canggih, menghasilkan lapisan rintangan haus, plat, jubin, lapisan siklon, blok, bahagian tidak sekata, dan muncung FGD rintangan haus & kakisan, penukar haba, paip, tiub, dan sebagainya.
Karbida Silikon Berikat Nitrida (NBSIC, NSIC). Bahan mentah permulaan ialah silikon karbida dan serbuk silikon. Padatan hijau dibakar dalam atmosfera nitrogen di mana tindak balas SiC + 3Si + 2N2 -> SiC + Si3N4 berlaku. Bahan akhir menunjukkan sedikit perubahan dimensi semasa pemprosesan. Bahan tersebut menunjukkan beberapa tahap keliangan (biasanya kira-kira 20%).
Karbida Silikon Sinter Langsung (SSIC). Silikon karbida ialah bahan mentah permulaan. Bahan bantu pemadatan ialah boron campur karbon, dan pemadatan berlaku melalui proses tindak balas keadaan pepejal melebihi 2200ºC. Sifat suhu tinggi dan rintangan kakisannya adalah lebih baik kerana kekurangan fasa kedua yang seperti kaca pada sempadan butiran.
Silikon Karbida Sinter Fasa Cecair (LSSIC). Silikon karbida ialah bahan mentah permulaan. Alat bantu pemadatan ialah yttrium oksida campur aluminium oksida. Pemadatan berlaku melebihi 2100ºC melalui tindak balas fasa cecair dan menghasilkan fasa kedua yang seperti kaca. Sifat mekanikalnya secara amnya lebih baik daripada SSIC, tetapi sifat suhu tinggi dan rintangan kakisannya tidak begitu baik.
Silikon Karbida Tekan Panas (HPSIC). Serbuk silikon karbida digunakan sebagai bahan mentah permulaan. Alat bantu pemadatan biasanya boron campur karbon atau yttrium oksida campur aluminium oksida. Pemadatan berlaku melalui penggunaan tekanan mekanikal dan suhu serentak di dalam rongga acuan grafit. Bentuknya adalah plat ringkas. Jumlah alat bantu sintering yang rendah boleh digunakan. Sifat mekanikal bahan tekan panas digunakan sebagai garis dasar untuk membandingkan proses lain. Sifat elektrik boleh diubah oleh perubahan dalam alat bantu pemadatan.
Silikon Karbida CVD (CVDSIC). Bahan ini dibentuk melalui proses pemendapan wap kimia (CVD) yang melibatkan tindak balas: CH3SiCl3 -> SiC + 3HCl. Tindak balas dijalankan di bawah atmosfera H2 dengan SiC dimendapkan ke atas substrat grafit. Proses ini menghasilkan bahan berketulenan tinggi; walau bagaimanapun, hanya plat mudah yang boleh dibuat. Proses ini sangat mahal kerana masa tindak balas yang perlahan.
Silikon Karbida Komposit Wap Kimia (CVCSiC). Proses ini bermula dengan prekursor grafit proprietari yang dimesin menjadi bentuk hampir bersih dalam keadaan grafit. Proses penukaran menjadikan bahagian grafit menjalani tindak balas keadaan pepejal wap in situ untuk menghasilkan SiC polikristalin yang betul secara stoikiometri. Proses yang dikawal ketat ini membolehkan reka bentuk yang rumit dihasilkan dalam bahagian SiC yang ditukar sepenuhnya yang mempunyai ciri toleransi yang ketat dan ketulenan yang tinggi. Proses penukaran memendekkan masa pengeluaran biasa dan mengurangkan kos berbanding kaedah lain.* Sumber (kecuali jika dinyatakan): Ceradyne Inc., Costa Mesa, Calif.
Masa siaran: 16 Jun 2018