Рекристалллаштырылган кремний карбиды (RXSIC, ReSIC, RSIC, R-SIC). Башлангыч чимал - кремний карбиды. Тыгызлаштыру чаралары кулланылмый. Яшел тыгызлагычлар соңгы ныгыту өчен 2200ºC тан артык җылытыла. Нәтиҗәдә барлыкка килгән материалның якынча 25% мәсамәлелеге бар, бу аның механик үзлекләрен чикли; шулай да, материал бик чиста булырга мөмкин. Процесс бик экономияле.
Реакция белән бәйләнгән кремний карбиды (RBSIC). Башлангыч чимал - кремний карбиды һәм углерод. Аннары яшел компонент 1450ºC тан югарырак температурада эретелгән кремний белән инфильтрацияләнә: SiC + C + Si -> SiC. Микроструктурада гадәттә артык кремний бар, бу аның югары температура үзлекләрен һәм коррозиягә чыдамлыгын чикли. Процесс барышында үлчәм үзгәреше аз була; ләкин соңгы деталь өслегендә еш кына кремний катламы була. ZPC RBSiC алдынгы технологияне куллана, тузуга чыдам каплама, пластиналар, плитәләр, циклон каплама, блоклар, тигез булмаган детальләр, шулай ук тузуга һәм коррозиягә чыдам FGD насадкалары, җылылык алмаштыргычлар, торбалар, торбалар һ.б. җитештерә.
Нитрид белән бәйләнгән кремний карбиды (NBSIC, NSIC). Башлангыч чимал - кремний карбиды һәм кремний порошогы. Яшел компакт азот атмосферасында яндырыла, анда SiC + 3Si + 2N2 -> SiC + Si3N4 реакциясе бара. Соңгы материал эшкәртү вакытында үлчәмнәре аз үзгәрә. Материалның билгеле бер дәрәҗәдәге мәсамәлелеге бар (гадәттә якынча 20%).
Турыдан-туры синтезланган кремний карбиды (SSIC). Кремний карбиды башлангыч чимал булып тора. Тыгызлаштыру чаралары бор һәм углеродтан тора, һәм тыгызлаштыру 2200ºC тан югарырак каты халәт реакциясе процессы белән бара. Аның югары температура үзлекләре һәм коррозиягә чыдамлыгы өстенрәк, чөнки бөртек чикләрендә пыяласыман икенче фаза юк.
Сыек фазалы синтезланган кремний карбиды (LSSIC). Кремний карбиды башлангыч чимал булып тора. Тыгызлаштыру өчен иттрий оксиды һәм алюминий оксиды кулланыла. Тыгызлаштыру 2100ºC тан югары температурада сыек фазалы реакция ярдәмендә бара һәм пыяласыман икенче фазага китерә. Механик үзлекләре, гадәттә, SSICка караганда яхшырак, ләкин югары температура үзлекләре һәм коррозиягә чыдамлыгы андый яхшы түгел.
Кайнар прессланган кремний карбиды (HPSIC). Башлангыч чимал буларак кремний карбиды порошогы кулланыла. Тыгызлаштыручы ярдәм чаралары, гадәттә, бор һәм углерод яки иттрий оксиды һәм алюминий оксидыннан тора. Тыгызлаштыру графит калыбы куышлыгы эчендә механик басым һәм температураны бер үк вакытта куллану юлы белән бара. Формалары гади пластиналар. Аз күләмдә блендерлау ярдәм чаралары кулланылырга мөмкин. Кайнар прессланган материалларның механик үзлекләре башка процесслар чагыштырыла торган нигез буларак кулланыла. Электр үзлекләрен тыгызлаштыручы ярдәм чаралары үзгәрүе белән үзгәртергә мөмкин.
CVD кремний карбиды (CVDSIC). Бу материал CH3SiCl3 -> SiC + 3HCl реакциясен үз эченә алган химик пар утырту (CVD) процессы белән барлыкка килә. Реакция H2 атмосферасында бара, SiC графит субстратына утыртыла. Процесс нәтиҗәсендә бик югары чисталыклы материал барлыкка килә; ләкин гади пластиналар гына ясалырга мөмкин. Реакция вакыты әкрен булу сәбәпле, бу процесс бик кыйммәт.
Химик пар композит кремний карбиды (CVCSiC). Бу процесс графит хәлендә челтәргә якын формаларга эшкәртелә торган махсус графит прекурсорыннан башлана. Конверсия процессы графит өлешен поликристалл, стехиометрик яктан дөрес SiC алу өчен in situ пар каты халәт реакциясенә дучар итә. Бу катгый контрольдә толерантлык үзенчәлекләренә һәм югары сафлыкка ия булган тулысынча конвертацияләнгән SiC өлешендә катлаулы конструкцияләр җитештерергә мөмкинлек бирә. Конверсия процессы гадәти җитештерү вакытын кыскарта һәм башка ысуллар белән чагыштырганда чыгымнарны киметә.* Чыганак (күрсәтелгән урыннардан тыш): Ceradyne Inc., Коста Меса, Калифорния.
Бастырылган вакыты: 2018 елның 16 июне