Recrystallized Silicon Carbide (RXSIC, ReSIC, RSIC, R-SIC). Ang sinugdanang hilaw nga materyal mao ang silicon carbide. Walay gigamit nga densification aids. Ang green compacts gipainit ngadto sa kapin sa 2200ºC para sa katapusang konsolidasyon. Ang resulta nga materyal adunay mga 25% nga porosity, nga naglimite sa mekanikal nga mga kabtangan niini; bisan pa, ang materyal mahimong puro kaayo. Ang proseso ekonomikanhon kaayo.
Reaction Bonded Silicon Carbide (RBSIC). Ang sinugdanang hilaw nga materyales mao ang silicon carbide ug carbon. Ang berde nga component dayon isulod sa tinunaw nga silicon sa ibabaw sa 1450ºC uban ang reaksyon: SiC + C + Si -> SiC. Ang microstructure kasagaran adunay gamay nga sobra nga silicon, nga naglimite sa mga kabtangan niini sa taas nga temperatura ug resistensya sa kaagnasan. Gamay ra ang pagbag-o sa dimensyon nga mahitabo atol sa proseso; bisan pa, usa ka layer sa silicon ang kanunay nga anaa sa ibabaw sa katapusang bahin. Ang ZPC RBSiC nagsagop sa abante nga teknolohiya, nga naghimo sa wear resistance lining, mga plato, mga tile, cyclone lining, mga bloke, mga dili regular nga bahin, ug wear & corrosion resistance FGD nozzles, heat exchanger, mga tubo, mga tubo, ug uban pa.
Nitride Bonded Silicon Carbide (NBSIC, NSIC). Ang sinugdanang hilaw nga materyales mao ang silicon carbide ug silicon powder. Ang green compact gipabuto sa nitrogen atmosphere diin mahitabo ang reaksyon nga SiC + 3Si + 2N2 -> SiC + Si3N4. Ang katapusang materyal nagpakita og gamay nga pagbag-o sa dimensyon atol sa pagproseso. Ang materyal nagpakita og pipila ka lebel sa porosity (kasagaran mga 20%).
Direct Sintered Silicon Carbide (SSIC). Ang silicon carbide mao ang sinugdanang hilaw nga materyal. Ang mga densification aid mao ang boron plus carbon, ug ang densification mahitabo pinaagi sa solid-state reaction process nga labaw sa 2200ºC. Ang taas nga temperatura nga mga kabtangan ug ang resistensya sa corrosion niini mas maayo tungod sa kakulang sa glassy second phase sa mga grain boundaries.
Liquid Phase Sintered Silicon Carbide (LSSIC). Ang silicon carbide mao ang sinugdanang hilaw nga materyal. Ang mga densification aid mao ang yttrium oxide ug aluminum oxide. Ang densification mahitabo labaw sa 2100ºC pinaagi sa liquid-phase reaction ug moresulta sa usa ka glassy second phase. Ang mekanikal nga mga kabtangan kasagaran mas maayo kay sa SSIC, apan ang taas nga temperatura nga mga kabtangan ug ang resistensya sa kaagnasan dili ingon ka maayo.
Hot Pressed Silicon Carbide (HPSIC). Ang silicon carbide powder gigamit isip sinugdanang hilaw nga materyales. Ang mga densification aid kasagaran boron plus carbon o yttrium oxide plus aluminum oxide. Ang densification mahitabo pinaagi sa dungan nga paggamit sa mechanical pressure ug temperatura sulod sa graphite die cavity. Ang mga porma kay yano nga mga plato. Gamay ra nga gidaghanon sa sintering aid ang magamit. Ang mekanikal nga mga kabtangan sa hot pressed nga mga materyales gigamit isip baseline diin itandi ang ubang mga proseso. Ang mga electrical properties mahimong mausab pinaagi sa mga pagbag-o sa densification aid.
CVD Silicon Carbide (CVDSIC). Kini nga materyal giporma pinaagi sa proseso sa chemical vapor deposition (CVD) nga naglambigit sa reaksyon: CH3SiCl3 -> SiC + 3HCl. Ang reaksyon gihimo ubos sa H2 atmosphere diin ang SiC gideposito sa usa ka graphite substrate. Ang proseso moresulta sa usa ka materyal nga taas kaayo og kaputli; bisan pa, yano ra nga mga plato ang mahimo. Ang proseso mahal kaayo tungod sa hinay nga oras sa reaksyon.
Chemical Vapor Composite Silicon Carbide (CVCSiC). Kini nga proseso magsugod sa usa ka proprietary graphite precursor nga gi-machine ngadto sa halos net nga mga porma sa graphite state. Ang proseso sa pagkakabig nagpailalom sa graphite nga bahin sa usa ka in situ vapor solid-state reaction aron makahimo og polycrystalline, stoichiometrically correct SiC. Kini nga hugot nga kontrolado nga proseso nagtugot sa komplikado nga mga disenyo nga mahimo sa usa ka hingpit nga nakabig nga SiC nga bahin nga adunay hugot nga tolerance features ug taas nga purity. Ang proseso sa pagkakabig nagpamubo sa normal nga oras sa produksiyon ug nagpamenos sa mga gasto kaysa ubang mga pamaagi.* Tinubdan (gawas kung giingon): Ceradyne Inc., Costa Mesa, Calif.
Oras sa pag-post: Hunyo-16-2018