Кайра кристаллдашкан кремний карбиди (RXSIC, ReSIC, RSIC, R-SIC). Баштапкы чийки зат - кремний карбиди. Тыгыздаштыруучу каражаттар колдонулбайт. Жашыл компакттар акыркы консолидация үчүн 2200ºC жогору температурага чейин ысытылат. Алынган материалдын тешиктүүлүгү болжол менен 25% түзөт, бул анын механикалык касиеттерин чектейт; бирок, материал абдан таза болушу мүмкүн. Бул процесс абдан үнөмдүү.
Байланышкан кремний карбиди (RBSIC). Баштапкы чийки зат кремний карбиди жана көмүртек болуп саналат. Андан кийин жашыл компонент 1450ºC жогору эритилген кремний менен инфильтрацияланып, SiC + C + Si -> SiC реакциясы жүргүзүлөт. Микроструктурада, адатта, ашыкча кремний болот, бул анын жогорку температуралык касиеттерин жана коррозияга туруктуулугун чектейт. Процесс учурунда кичинекей өлчөмдүү өзгөрүүлөр болот; бирок, акыркы бөлүктүн бетинде көп учурда кремний катмары болот. ZPC RBSiC алдыңкы технологияны колдонуп, эскирүүгө туруктуу каптаманы, пластиналарды, плиткаларды, циклон каптаманы, блокторду, туура эмес тетиктерди жана эскирүүгө жана коррозияга туруктуу FGD соплолорун, жылуулук алмаштыргычтарды, түтүктөрдү, түтүктөрдү ж.б. чыгарат.
Нитрид менен байланышкан кремний карбиди (NBSIC, NSIC). Баштапкы чийки зат кремний карбиди жана кремний порошогу болуп саналат. Жашыл компакт азот атмосферасында күйгүзүлөт, анда SiC + 3Si + 2N2 -> SiC + Si3N4 реакциясы жүрөт. Акыркы материал иштетүү учурунда анча чоң эмес өлчөмдө өзгөрөт. Материал кандайдыр бир деңгээлде тешиктүүлүккө ээ (адатта болжол менен 20%).
Түз бышыруу жолу менен бышыруу (SSIC). Кремний карбиди баштапкы чийки зат болуп саналат. Тыгыздаштыруучу каражаттар бор жана көмүртек болуп саналат, ал эми тыгыздаштыруу 2200ºC жогору катуу абалдагы реакция процесси менен жүрөт. Анын жогорку температурадагы касиеттери жана коррозияга туруктуулугу дан чектеринде айнек сымал экинчи фазанын жоктугунан жогору.
Суюк фазадагы блендерленген кремний карбиди (LSSIC). Кремний карбиди баштапкы чийки зат болуп саналат. Тыгыздаштыруучу каражаттар иттрий кычкылы жана алюминий кычкылы болуп саналат. Тыгыздаштыруу 2100ºC жогору температурада суюк фазадагы реакция аркылуу жүрөт жана айнек сымал экинчи фазага алып келет. Механикалык касиеттери жалпысынан SSICке караганда жогору, бирок жогорку температурадагы касиеттери жана коррозияга туруктуулугу анчалык жакшы эмес.
Ысык пресстелген кремний карбиди (HPSIC). Баштапкы чийки зат катары кремний карбидинин порошогу колдонулат. Тыгыздаштыруучу каражаттар, адатта, бор жана көмүртек же иттрий кычкылы жана алюминий кычкылы болуп саналат. Тыгыздаштыруу графит калыптын көңдөйүнүн ичинде механикалык басымды жана температураны бир убакта колдонуу менен жүрөт. Формалары жөнөкөй пластиналар. Аз өлчөмдөгү бышыруучу каражаттарды колдонсо болот. Ысык пресстелген материалдардын механикалык касиеттери башка процесстер салыштырылуучу база катары колдонулат. Электрдик касиеттерди тыгыздаштыруучу каражаттардын өзгөрүшү менен өзгөртүүгө болот.
CVD кремний карбиди (CVDSIC). Бул материал химиялык буу чөктүрүү (CVD) процесси менен пайда болот, ал реакцияны камтыйт: CH3SiCl3 -> SiC + 3HCl. Реакция H2 атмосферасында жүргүзүлөт, SiC графит субстратына чөктүрүлөт. Бул процесстин натыйжасында өтө жогорку тазалыктагы материал алынат; бирок, жөнөкөй плиталарды гана жасоого болот. Бул процесс реакция убактысынын жай болушунан улам абдан кымбат.
Химиялык буу композиттик кремний карбиди (CVCSiC). Бул процесс графит абалында дээрлик тор формаларына айландырылган менчик графит прекурсорунан башталат. Конверсия процесси графит бөлүгүн in situ буу катуу абал реакциясына дуушар кылып, поликристаллдык, стехиометриялык жактан туура SiC пайда кылат. Бул катуу көзөмөлдөнгөн процесс татаал конструкцияларды толугу менен конвертацияланган SiC бөлүгүндө өндүрүүгө мүмкүндүк берет, ал катуу толеранттуулук өзгөчөлүктөрүнө жана жогорку тазалыкка ээ. Конверсия процесси кадимки өндүрүш убактысын кыскартат жана башка ыкмаларга караганда чыгымдарды азайтат.* Булак (белгиленген жерлерден тышкары): Ceradyne Inc., Коста-Меса, Калифорния.
Жарыяланган убактысы: 2018-жылдын 16-июну