ဆီလီကွန်ကာဗိုက် လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် ဆက်စပ်နေသော အသုံးအနှုန်းများ

ပြန်လည်ပုံဆောင်ခဲပြန်လုပ်ထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (RXSIC၊ ReSIC၊ RSIC၊ R-SIC)။ အစပြုကုန်ကြမ်းမှာ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖြစ်သည်။ သိပ်သည်းဆတိုးစေသည့် အထောက်အကူပစ္စည်းများကို အသုံးမပြုပါ။ အစိမ်းရောင်ကွန်တက်စ်များကို နောက်ဆုံးပေါင်းစည်းရန်အတွက် ၂၂၀၀ºC ကျော်အထိ အပူပေးသည်။ ရလဒ်အနေဖြင့် ပစ္စည်းတွင် ၂၅% ခန့် porosity ရှိပြီး ၎င်း၏စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကို ကန့်သတ်ထားသည်။ သို့သော် ပစ္စည်းသည် အလွန်သန့်စင်နိုင်သည်။ လုပ်ငန်းစဉ်သည် အလွန်စီးပွားရေးအရ တွက်ခြေကိုက်သည်။
Reaction Bonded Silicon Carbide (RBSIC)။ အစပြုကုန်ကြမ်းများမှာ silicon carbide နှင့် carbon တို့ဖြစ်သည်။ ထို့နောက် အစိမ်းရောင်အစိတ်အပိုင်းကို 1450ºC အထက်ရှိ အရည်ပျော် silicon ဖြင့် စိမ့်ဝင်ပြီး SiC + C + Si -> SiC ဟူသော ဓာတ်ပြုမှုဖြင့် ပြုလုပ်သည်။ အဏုကြည့်ဖွဲ့စည်းပုံတွင် ယေဘုယျအားဖြင့် အပို silicon အနည်းငယ်ရှိပြီး ၎င်း၏ မြင့်မားသော အပူချိန်ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ချေးခံနိုင်ရည်ကို ကန့်သတ်ထားသည်။ လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း အတိုင်းအတာပြောင်းလဲမှု အနည်းငယ်သာ ဖြစ်ပေါ်သည်။ သို့သော် နောက်ဆုံးအပိုင်း၏ မျက်နှာပြင်တွင် silicon အလွှာတစ်ခု ရှိနေတတ်သည်။ ZPC RBSiC များကို အဆင့်မြင့်နည်းပညာကို လက်ခံကျင့်သုံးထားပြီး ဟောင်းနွမ်းမှုခံနိုင်ရည်ရှိသော အတွင်းအလွှာ၊ ပြားများ၊ ကြွေပြားများ၊ ဆိုင်ကလုန်းအတွင်းအလွှာ၊ ဘလောက်များ၊ မမှန်သော အစိတ်အပိုင်းများနှင့် ဟောင်းနွမ်းမှုနှင့် ချေးခံနိုင်ရည်ရှိသော FGD nozzle များ၊ အပူလဲလှယ်စက်၊ ပိုက်များ၊ ပြွန်များ စသည်တို့ကို ထုတ်လုပ်သည်။

နိုက်ထရိုက် ပေါင်းစပ် ဆီလီကွန် ကာဗိုက် (NBSIC၊ NSIC)။ အစပြု ကုန်ကြမ်းများမှာ ဆီလီကွန် ကာဗိုက် နှင့် ဆီလီကွန် အမှုန့်တို့ ဖြစ်သည်။ အစိမ်းရောင် ကွန်ပက်ကို SiC + 3Si + 2N2 -> SiC + Si3N4 ဓာတ်ပြုမှု ဖြစ်ပေါ်သည့် နိုက်ထရိုဂျင် လေထုတွင် လောင်ကျွမ်းစေသည်။ နောက်ဆုံး ပစ္စည်းသည် စီမံဆောင်ရွက်နေစဉ်အတွင်း အတိုင်းအတာ ပြောင်းလဲမှု အနည်းငယ်သာ ရှိသည်။ ပစ္စည်းသည် အပေါက်ငယ်များ (ပုံမှန်အားဖြင့် ၂၀% ခန့်) ရှိသည်။

တိုက်ရိုက် Sintered Silicon Carbide (SSIC)။ Silicon carbide သည် အစပြုကုန်ကြမ်းဖြစ်သည်။ သိပ်သည်းဆ အထောက်အကူပြုပစ္စည်းများမှာ ဘိုရွန်နှင့် ကာဗွန်ဖြစ်ပြီး သိပ်သည်းဆသည် 2200ºC အထက်ရှိ အစိုင်အခဲဓာတ်ပြုမှုလုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် ဖြစ်ပေါ်သည်။ ၎င်း၏ မြင့်မားသောအပူချိန်ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ချေးခံနိုင်ရည်မှာ အမှုန်အမွှားနယ်နိမိတ်တွင် ဖန်ကဲ့သို့ ဒုတိယအဆင့်မရှိခြင်းကြောင့် သာလွန်ကောင်းမွန်သည်။

အရည်အဆင့် Sintered Silicon Carbide (LSSIC)။ Silicon carbide သည် အစပြုကုန်ကြမ်းဖြစ်သည်။ သိပ်သည်းဆတိုးစေသည့် အထောက်အကူပြုပစ္စည်းများမှာ yttrium oxide နှင့် အလူမီနီယမ်အောက်ဆိုဒ်တို့ဖြစ်သည်။ သိပ်သည်းဆတိုးခြင်းသည် ၂၁၀၀ºC အထက်တွင် အရည်အဆင့်ဓာတ်ပြုမှုဖြင့် ဖြစ်ပေါ်ပြီး ဖန်ကဲ့သို့ ဒုတိယအဆင့်ကို ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများသည် ယေဘုယျအားဖြင့် SSIC ထက် သာလွန်သော်လည်း အပူချိန်မြင့်ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ချေးခံနိုင်ရည်မှာ မကောင်းပါ။

အပူပေးဖိထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (HPSIC)။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အမှုန့်ကို အစပြုကုန်ကြမ်းအဖြစ် အသုံးပြုသည်။ သိပ်သည်းစေသော အထောက်အကူပစ္စည်းများမှာ ယေဘုယျအားဖြင့် ဘိုရွန်နှင့် ကာဗွန် သို့မဟုတ် ယမီယမ်အောက်ဆိုဒ်နှင့် အလူမီနီယမ်အောက်ဆိုဒ်တို့ ဖြစ်သည်။ ဂရပ်ဖိုက် ဒိုင်အခေါင်းပေါက်အတွင်း စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဖိအားနှင့် အပူချိန်ကို တစ်ပြိုင်နက်တည်း အသုံးချခြင်းဖြင့် သိပ်သည်းစေမှု ဖြစ်ပေါ်သည်။ ပုံသဏ္ဍာန်များသည် ရိုးရှင်းသော ပြားများဖြစ်သည်။ အပူပေးဖိထားသော အထောက်အကူပစ္စည်း အနည်းငယ်ကိုသာ အသုံးပြုနိုင်သည်။ အပူပေးဖိထားသော ပစ္စည်းများ၏ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကို အခြားလုပ်ငန်းစဉ်များကို နှိုင်းယှဉ်ရာတွင် အခြေခံအဖြစ် အသုံးပြုသည်။ သိပ်သည်းစေသော အထောက်အကူပစ္စည်းများတွင် ပြောင်းလဲမှုများဖြင့် လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကို ပြောင်းလဲနိုင်သည်။

CVD ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (CVDSIC)။ ဤပစ္စည်းကို CH3SiCl3 -> SiC + 3HCl ဓာတ်ပြုမှုပါဝင်သော ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်း (CVD) လုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။ SiC ကို ဂရပ်ဖိုက်အလွှာပေါ်တွင် စုပုံစေပြီး H2 လေထုအောက်တွင် ဓာတ်ပြုမှုကို ပြုလုပ်သည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် အလွန်သန့်စင်သော ပစ္စည်းကို ရရှိစေသော်လည်း ရိုးရှင်းသောပြားများကိုသာ ပြုလုပ်နိုင်သည်။ ဓာတ်ပြုချိန်နှေးကွေးသောကြောင့် ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် အလွန်စျေးကြီးသည်။

ဓာတုအငွေ့ပေါင်းစပ်ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (CVCSiC)။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် ဂရပ်ဖိုက်အခြေအနေတွင် near-net ပုံသဏ္ဍာန်များအဖြစ် စက်ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော မူပိုင်ဂရပ်ဖိုက်ရှေ့ပြေးပစ္စည်းဖြင့် စတင်သည်။ ပြောင်းလဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းကို in situ vapor solid-state ဓာတ်ပြုမှုဖြင့် polycrystalline၊ stoichiometrically မှန်ကန်သော SiC ထုတ်လုပ်သည်။ ဤတင်းကျပ်စွာထိန်းချုပ်ထားသောလုပ်ငန်းစဉ်သည် တင်းကျပ်သောသည်းခံနိုင်စွမ်းအင်္ဂါရပ်များနှင့် မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော လုံးဝပြောင်းလဲထားသော SiC အစိတ်အပိုင်းတွင် ရှုပ်ထွေးသောဒီဇိုင်းများကို ထုတ်လုပ်နိုင်စေသည်။ ပြောင်းလဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် ပုံမှန်ထုတ်လုပ်မှုအချိန်ကို တိုတောင်းစေပြီး အခြားနည်းလမ်းများထက် ကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချပေးသည်။* ရင်းမြစ် (ဖော်ပြထားသည့်နေရာမှလွဲ၍): Ceradyne Inc., Costa Mesa, Calif.