SiC – Silikoni Carbide

Wọ́n ṣàwárí carbide silicon ní ọdún 1893 gẹ́gẹ́ bí abrasive ilé-iṣẹ́ fún àwọn kẹ̀kẹ́ lilọ àti bírékì ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́. Ní àárín ọ̀rúndún 20, lílo wafer SiC ti di ohun tí a fi kún ìmọ̀-ẹ̀rọ LED. Láti ìgbà náà, ó ti fẹ̀ sí ọ̀pọ̀lọpọ̀ àwọn ohun èlò semiconductor nítorí àwọn ànímọ́ rere rẹ̀. Àwọn ànímọ́ wọ̀nyí hàn gbangba nínú onírúurú lílò rẹ̀ ní àti lóde ilé-iṣẹ́ semiconductor. Pẹ̀lú bí Moore's Law ṣe ń dé ààlà rẹ̀, ọ̀pọ̀ ilé-iṣẹ́ nínú ilé-iṣẹ́ semiconductor ń wo silicon carbide gẹ́gẹ́ bí ohun èlò semiconductor ọjọ́ iwájú. A lè ṣe SiC nípa lílo ọ̀pọ̀lọpọ̀ onírúurú SiC, bó tilẹ̀ jẹ́ pé láàárín ilé-iṣẹ́ semiconductor, ọ̀pọ̀lọpọ̀ àwọn substrates jẹ́ 4H-SiC, pẹ̀lú 6H- díẹ̀ sí i bí ọjà SiC ti ń pọ̀ sí i. Nígbà tí a ń tọ́ka sí carbide silicon 4H- àti 6H-, H dúró fún ìṣètò ti crystal lattice. Nọ́mbà náà dúró fún ìtòlẹ́sẹẹsẹ àwọn átọ̀mù nínú ìṣètò crystal, èyí ni a ṣàlàyé nínú àtẹ agbára SVM ní ìsàlẹ̀. Àwọn Àǹfààní ti Silicon Carbide Hardness Ọ̀pọ̀lọpọ̀ àǹfààní ló wà nínú lílo silicon carbide lórí àwọn substrates silicon ìbílẹ̀. Ọ̀kan lára ​​àwọn àǹfààní pàtàkì ti ohun èlò yìí ni líle rẹ̀. Èyí fún ohun èlò náà ní ọ̀pọ̀lọpọ̀ àǹfààní, nínú iyàrá gíga, iwọ̀n otútù gíga àti/tàbí àwọn ohun èlò folti gíga. Àwọn wafer silicon carbide ní agbára ìgbóná gíga, èyí tí ó túmọ̀ sí wípé wọ́n lè gbé ooru láti ibi kan sí ibi kan sí ibi kanga mìíràn. Èyí mú kí agbára ìgbóná agbára rẹ̀ sunwọ̀n síi àti ní ìparí rẹ̀ dínkù, ọ̀kan lára ​​àwọn ibi tí ó wọ́pọ̀ ti yípadà sí àwọn wafer SiC. Àwọn agbára ìgbóná SiC náà ní ìwọ̀n ìṣọ̀kan kékeré fún ìgbóná gbígbóná. Ìmúgbòòrò gbígbóná ni iye àti ìtọ́sọ́nà ohun èlò kan ń fẹ̀ síi tàbí ń dì bí ó ti ń gbóná tàbí ń tutù. Àlàyé tí ó wọ́pọ̀ jùlọ ni yìnyín, bó tilẹ̀ jẹ́ pé ó ń hùwà ní òdìkejì ọ̀pọ̀lọpọ̀ àwọn irin, ó ń fẹ̀ síi bí ó ti ń tutù tí ó sì ń dínkù bí ó ti ń gbóná. Ìṣọ̀kan kékeré ti silicon carbide fún ìmúgbòòrò gbígbóná túmọ̀ sí wípé kò yípadà ní ìwọ̀n tàbí ìrísí rẹ̀ ní pàtàkì bí ó ti ń gbóná tàbí tí ó ń tutù, èyí tí ó mú kí ó pé fún fífi sínú àwọn ẹ̀rọ kékeré àti dídì àwọn transistors púpọ̀ sí orí ìkọ́ kan ṣoṣo. Àǹfààní pàtàkì mìíràn ti àwọn substrates wọ̀nyí ni agbára gíga wọn sí ìkọlù gbígbóná. Èyí túmọ̀ sí wípé wọ́n ní agbára láti yí iwọ̀n otútù padà kíákíá láìsí ìfọ́ tàbí ìfọ́. Èyí ń dá àǹfààní tó ṣe kedere nígbà tí a bá ń ṣe àwọn ẹ̀rọ nítorí pé ó jẹ́ ànímọ́ líle mìíràn tí ó ń mú kí ìgbésí ayé àti iṣẹ́ silicon carbide sunwọ̀n sí i ní ìfiwéra pẹ̀lú silicon bulk silicon ìbílẹ̀. Ní àfikún sí agbára ooru rẹ̀, ó jẹ́ substrate tí ó lágbára gan-an, kò sì ní ṣe pẹ̀lú àwọn acids, alkalis tàbí iyọ̀ yíyọ́ ní ìwọ̀n otútù tó dé 800°C. Èyí ń fún àwọn substrate wọ̀nyí ní agbára láti lò wọ́n, ó sì tún ń ran wọ́n lọ́wọ́ láti ṣe iṣẹ́ silicon bulk ní ọ̀pọ̀lọpọ̀ ìgbà. Agbára rẹ̀ ní ìwọ̀n otútù gíga tún ń jẹ́ kí ó ṣiṣẹ́ láìléwu ní ìwọ̀n otútù tó ju 1600°C lọ. Èyí mú kí ó jẹ́ substrate tí ó yẹ fún gbogbo ìlò ooru gíga.