El carburo de silicio se descubrió en 1893 como abrasivo industrial para muelas y frenos de automóviles. A mediados del siglo XX, el uso de las obleas de SiC se extendió a la tecnología LED. Desde entonces, se ha expandido a numerosas aplicaciones en semiconductores gracias a sus ventajosas propiedades físicas. Estas propiedades se reflejan en su amplia gama de usos, tanto dentro como fuera de la industria de los semiconductores. Con la Ley de Moore llegando a su límite, muchas empresas de la industria de los semiconductores consideran el carburo de silicio como el material semiconductor del futuro. El SiC se puede producir utilizando múltiples politipos de SiC, aunque en la industria de los semiconductores la mayoría de los sustratos son 4H-SiC, siendo el 6H-SiC menos común a medida que el mercado del SiC ha crecido. Al referirse al carburo de silicio 4H- y 6H-SiC, la H representa la estructura de la red cristalina. El número representa la secuencia de apilamiento de los átomos dentro de la estructura cristalina, que se describe en la tabla de capacidades de SVM a continuación. Ventajas de la dureza del carburo de silicio: El uso de carburo de silicio ofrece numerosas ventajas sobre los sustratos de silicio tradicionales. Una de las principales ventajas de este material es su dureza, que le confiere numerosas ventajas en aplicaciones de alta velocidad, alta temperatura o alto voltaje. Las obleas de carburo de silicio presentan una alta conductividad térmica, lo que significa que pueden transferir bien el calor de un punto a otro. Esto mejora su conductividad eléctrica y, en última instancia, la miniaturización, uno de los objetivos comunes de la transición a obleas de SiC. Capacidades térmicas: Los sustratos de SiC también presentan un bajo coeficiente de expansión térmica. La expansión térmica se refiere a la cantidad y dirección en que un material se expande o contrae al calentarse o enfriarse. La explicación más común es el hielo, aunque se comporta de forma opuesta a la de la mayoría de los metales: se expande al enfriarse y se contrae al calentarse. El bajo coeficiente de expansión térmica del carburo de silicio implica que no cambia significativamente de tamaño ni de forma al calentarse o enfriarse, lo que lo hace perfecto para su instalación en dispositivos pequeños y para alojar más transistores en un solo chip. Otra gran ventaja de estos sustratos es su alta resistencia al choque térmico. Esto significa que pueden cambiar rápidamente de temperatura sin romperse ni agrietarse. Esto representa una clara ventaja en la fabricación de dispositivos, ya que es otra característica de tenacidad que mejora la vida útil y el rendimiento del carburo de silicio en comparación con el silicio a granel tradicional. Además de sus capacidades térmicas, es un sustrato muy duradero y no reacciona con ácidos, álcalis ni sales fundidas a temperaturas de hasta 800 °C. Esto les confiere versatilidad en sus aplicaciones y contribuye a su capacidad para superar al silicio a granel en numerosas aplicaciones. Su resistencia a altas temperaturas también le permite operar con seguridad a temperaturas superiores a 1600 °C. Esto lo convierte en un sustrato adecuado para prácticamente cualquier aplicación de alta temperatura.
Hora de publicación: 09-jul-2019