ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို ၁၈၉၃ ခုနှစ်တွင် ကြိတ်ဘီးများနှင့် မော်တော်ကားဘရိတ်များအတွက် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး ပွတ်တိုက်ပစ္စည်းအဖြစ် ရှာဖွေတွေ့ရှိခဲ့သည်။ ၂၀ ရာစုအလယ်ပိုင်းခန့်တွင် SiC wafer အသုံးပြုမှုများသည် LED နည်းပညာတွင် ပါဝင်လာခဲ့သည်။ ထိုအချိန်မှစ၍ ၎င်း၏ အကျိုးကျေးဇူးရှိသော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် semiconductor အသုံးချမှုများစွာသို့ တိုးချဲ့လာခဲ့သည်။ ဤဂုဏ်သတ္တိများသည် semiconductor လုပ်ငန်းအတွင်းနှင့် အပြင်ဘက်ရှိ ၎င်း၏ကျယ်ပြန့်သောအသုံးပြုမှုများတွင် ထင်ရှားသည်။ Moore's Law သည် ၎င်း၏အကန့်အသတ်သို့ ရောက်ရှိနေပုံရသောကြောင့် semiconductor လုပ်ငန်းအတွင်းရှိ ကုမ္ပဏီများစွာသည် အနာဂတ်၏ semiconductor ပစ္စည်းအဖြစ် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို ရှာဖွေနေကြသည်။ SiC ကို SiC ၏ polytypes အများအပြားကို အသုံးပြု၍ ထုတ်လုပ်နိုင်သော်လည်း semiconductor လုပ်ငန်းအတွင်းတွင် အများစုမှာ 4H-SiC ဖြစ်ပြီး SiC ဈေးကွက်ကြီးထွားလာသည်နှင့်အမျှ 6H- သည် အသုံးနည်းလာသည်။ 4H- နှင့် 6H- ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို ရည်ညွှန်းသောအခါ H သည် crystal lattice ၏ဖွဲ့စည်းပုံကို ကိုယ်စားပြုသည်။ နံပါတ်သည် crystal structure အတွင်းရှိ အက်တမ်များ၏ stacking sequence ကို ကိုယ်စားပြုပြီး ၎င်းကို အောက်ပါ SVM စွမ်းရည်ဇယားတွင် ဖော်ပြထားသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် မာကျောမှု၏ အားသာချက်များ ရိုးရာဆီလီကွန်အလွှာများထက် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို အသုံးပြုခြင်းတွင် အားသာချက်များစွာရှိသည်။ ဤပစ္စည်း၏ အဓိကအားသာချက်များထဲမှ တစ်ခုမှာ ၎င်း၏ မာကျောမှုဖြစ်သည်။ ဒါက ပစ္စည်းကို မြန်နှုန်းမြင့်၊ အပူချိန်မြင့်နဲ့/သို့မဟုတ် ဗို့အားမြင့် အသုံးချမှုတွေမှာ အားသာချက်များစွာကို ပေးပါတယ်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဝေဖာတွေမှာ အပူစီးကူးမှုမြင့်မားတာကြောင့် အပူကို တစ်နေရာကနေ တစ်နေရာကို ကောင်းကောင်းလွှဲပြောင်းပေးနိုင်ပါတယ်။ ဒါက သူ့ရဲ့ လျှပ်စစ်စီးကူးမှုနဲ့ နောက်ဆုံးမှာ သေးငယ်သွားခြင်းကို တိုးတက်စေပြီး SiC ဝေဖာတွေကို ပြောင်းလဲအသုံးပြုရတဲ့ ဘုံရည်မှန်းချက်တွေထဲက တစ်ခုပါ။ အပူစွမ်းရည် SiC အောက်ခံတွေမှာ အပူချဲ့ထွင်မှုအတွက် ကိန်းဂဏန်းနည်းပါတယ်။ အပူချဲ့ထွင်မှုဆိုတာ ပစ္စည်းတစ်ခု အပူတက်လာတဲ့အခါ ဒါမှမဟုတ် အအေးကျသွားတဲ့အခါ ချဲ့ထွင်တဲ့ ပမာဏနဲ့ ဦးတည်ချက်ပါ။ အဖြစ်အများဆုံးရှင်းပြချက်ကတော့ ရေခဲပါပဲ၊ ဒါပေမယ့် သတ္တုအများစုနဲ့ ဆန့်ကျင်ဘက်ပြုမူပြီး အေးလာတဲ့အခါနဲ့ အပူတက်လာတဲ့အခါ ကျုံ့သွားတဲ့အခါ ချဲ့ထွင်ပါတယ်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ရဲ့ အပူချဲ့ထွင်မှုအတွက် ကိန်းဂဏန်းနည်းတာက အပူတက်လာတဲ့အခါ ဒါမှမဟုတ် အအေးကျသွားတဲ့အခါ အရွယ်အစား ဒါမှမဟုတ် ပုံသဏ္ဍာန်မှာ သိသိသာသာ မပြောင်းလဲဘူးလို့ ဆိုလိုပြီး သေးငယ်တဲ့ စက်ပစ္စည်းတွေထဲ တပ်ဆင်ဖို့နဲ့ ထရန်စစ္စတာတွေကို ချစ်ပ်တစ်ခုတည်းပေါ်မှာ ထုပ်ပိုးဖို့အတွက် ပြီးပြည့်စုံစေပါတယ်။ ဒီအောက်ခံတွေရဲ့ နောက်ထပ်အဓိကအားသာချက်တစ်ခုကတော့ အပူရှော့ခ်ကို ခံနိုင်ရည်မြင့်မားတာပါပဲ။ ကွဲအက်ခြင်းမရှိဘဲ အပူချိန်ကို လျင်မြန်စွာပြောင်းလဲနိုင်စွမ်းရှိပါတယ်။ ဒါက စက်ပစ္စည်းတွေ ထုတ်လုပ်တဲ့အခါ အားသာချက်တစ်ခုဖြစ်စေပါတယ်၊ ဘာလို့လဲဆိုတော့ ရိုးရာအစုလိုက်ဆီလီကွန်နဲ့ နှိုင်းယှဉ်ရင် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ရဲ့ သက်တမ်းနဲ့ စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေတဲ့ နောက်ထပ်ခိုင်ခံ့မှုဝိသေသလက္ခဏာတွေကြောင့်ပါ။ ၎င်း၏ အပူစွမ်းရည်များအပြင်၊ ၎င်းသည် အလွန်ခိုင်ခံ့သော အောက်ခံအလွှာတစ်ခုဖြစ်ပြီး 800°C အထိ အပူချိန်တွင် အက်ဆစ်၊ အယ်ကာလီ သို့မဟုတ် အရည်ပျော်ဆားများနှင့် ဓာတ်ပြုမှုမရှိပါ။ ၎င်းသည် ဤအောက်ခံအလွှာများကို ၎င်းတို့၏ အသုံးချမှုများတွင် စွယ်စုံရဖြစ်စေပြီး အသုံးချမှုများစွာတွင် ဆီလီကွန်ထက် သာလွန်စွာ လုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းကို ပိုမိုအထောက်အကူပြုသည်။ အပူချိန်မြင့်မားသောနေရာတွင် ၎င်း၏အစွမ်းသတ္တိကြောင့် 1600°C အထက် အပူချိန်များတွင်လည်း ဘေးကင်းစွာလည်ပတ်နိုင်စေပါသည်။ ၎င်းသည် အပူချိန်မြင့်မားသော အသုံးချမှုတိုင်းအတွက် သင့်လျော်သော အောက်ခံအလွှာတစ်ခုဖြစ်စေသည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ဇူလိုင်-၀၉-၂၀၁၉