Silikon karbid keramiki astarlary
Silikon karbid aşynma garşylykly astar
Silikon karbid (SiC) aşynma garşylykly astarlaryň dizaýn aýratynlyklary:
（1） Akym ýolunyň ýeňilleşdirilen dizaýny
Girişden çykyşa çenli ýumşak, ýönekeýleşdirilen kontur akym garşylygyny azaldýar we SiC laýnerlerini dürli senagat ulanylyşlaryna uýgunlaşdyrýar.
（2）Ösen atomizasiýa
MehanizmSuwuklyklar SiC laýneriniň barha daralýan spiral ýüzleri bilen tangensial çaknyşyk arkaly inçe damjalara atomlaşdyrylýar we bu bolsa püskürmäniň deň paýlanmagyny üpjün edýär.
（3） Kompakt, tıkanmaz gurluş
Göni, özensiz akym kanaly içki päsgelçilikleri aradan aýyrýar, çäklendirilen turba ölçeglerinde suwuklygyň geçirijiligini iň ýokary derejä çykarýar we şol bir wagtyň özünde päsgelçilikleriň öňüni alýar.
（4） Netijeliligi ýokarlandyrmak üçin iki gezek püskürtme režimi
Gaty konusly we içi boş konusly püskürtme nusgalarynyň ikisini hem goldaýar, ýokary netijeli işler üçin giň örtük burçlaryny we dykylma garşy işini hödürleýär.
Beýleki materiallar bilen deňeşdirilende esasy artykmaçlyklary:
（1） Deňsiz geýilme garşylygy
Gatylygy: SiC astarlar Mohs 9.5 gatylygyna ýetýär (alýumin keramika üçin 8.0, ýokary hromly polat üçin 6.0 bilen deňeşdirilende), bu bolsa olaryň magdan şlamlarynda, kömür külünde we metal poroşoklarynda örän aşyndyryjy aşynmalara çydamly bolmagyna mümkinçilik berýär.
Uzak ömürlilik: Şary degirmenler ýa-da şlam nasoslary ýaly ýokary täsirli ulanylyşlarda hyzmat ediş möhleti 5–10 esse köp däp bolan materiallardan (meselem, rezin ýa-da poliuretan astarlary).
(2) Korroziýa we himiki inertlik
Kislota/Şelke garşylygy: Konsentrlenen kükürt kislotasyna (98%), natriý gidroksidine (50%) we ereýän duzlara (meselem, 800°C-de NaCl-KCl) garşylyk görkezýär, şol bir wagtyň özünde metallar çalt poslaýar we polimerler dargaýar.
Nol hapalanma: Reaksiýa girmeýän ýüz, ionlaryň lehimlenmegine meýilli polat örtüklerden tapawutlylykda, ýarymgeçiriji ýa-da litium batareýalarynyň önümçiliginde arassalygy üpjün edýär.
(3) Aşa temperatura durnuklylygy
Termal Durnuklylyk: 1600°C-de (alýumin oksidiniň 1200°C çägine garşy) minimal termal giňelme bilen (CTE: 4.0 × 10⁻⁶/℃) üznüksiz işleýär, bu bolsa peçlerde ýa-da ereýän peçlerde ýarylmaga päsgel berýär.
Termal şoka garşylyk: Süňk keramikadan tapawutlylykda, temperaturanyň çalt üýtgemeginde (meselem, 1000°C-den otagyň temperaturasyna çenli öçürmek) gurluşyň bitewiligini saklaýar.
(4) Energiýa netijeliligi we ýeňil dizaýn
Pes sürtülme：Jyllalanan SiC ýüzi (Ra <0.1 μm) gödek polat örtüklere garanyňda suwuklygyň garşylygyny 30–50% azaldýar we nasos energiýasynyň çykdajylaryny azaldýar.
Agramy tygşytlamak: 3.1 g/sm³ dykyzlygy (poladyňky 7.8 g/sm³ bilen deňeşdirilende) gurnamagy ýeňilleşdirýär we aerokosmos ýa-da ykjam gaýtadan işleýän enjamlarda ýeňil enjamlary goldaýar.
“Shandong Zhongpeng Special Ceramics Co., Ltd” Hytaýdaky iň uly kremniý karbid keramiki täze material çözgütleriniň biridir. SiC tehniki keramikasy: Moh-yň berkligi 9 (Täze Moh-yň berkligi 13), eroziýa we poslama garşy ajaýyp garşylyk, ajaýyp aşynma garşylygy we antioksidasiýa garşylygy bilen tapawutlanýar. SiC önüminiň hyzmat ediş möhleti 92% alýumin oksidi materialyndan 4-5 esse uzyn. RBSiC-niň MOR derejesi SNBSC-den 5-7 esse ýokary, ony has çylşyrymly görnüşler üçin ulanyp bolýar. Baha bermek prosesi çalt, eltip bermek wada berilişi ýaly we hil taýdan iň gowy. Biz maksatlarymyza hemişe garşy durmaga we ýüregimizi jemgyýete bermäge çalyşýarys.
