- ÀWỌN ÀǸFÀÀNÍ ÌṢEṢE BONDED SILIKON CARBIDE
Àwọn ọjà Reaction Bonded Silicon Carbide (RBSC, tàbí SiSiC) ní agbára líle/abrasion tó ga jùlọ àti ìdúróṣinṣin kẹ́míkà tó tayọ ní àwọn àyíká tó ń jà gùdù. Silicon Carbide jẹ́ ohun èlò àtọwọ́dá tó ń fi àwọn ànímọ́ iṣẹ́ gíga hàn, títí bí:
lAgbara kemikali to dara julọ.
Agbára RBSC fẹ́rẹ̀ẹ́ tó 50% ju ti ọ̀pọ̀lọpọ̀ àwọn carbide silicon tí a so pọ̀ mọ́ nitride lọ. RBSC jẹ́ ààbò tó dára jùlọ fún ipata àti antioxidation seramiki. A lè ṣe é sí oríṣiríṣi desulpurization nozzle (FGD).
lO tayọ yiya ati ipa resistance.
Ó jẹ́ òkè ìmọ̀ ẹ̀rọ seramiki tó lágbára láti kojú ìfọ́. RBSiC ní agbára gíga tó sún mọ́ ti dáyámọ́ńdì. A ṣe é fún lílò nínú àwọn ohun èlò fún àwọn ìrísí ńlá níbi tí àwọn ìwọ̀n carbide silicon carbide tó ń fa ìfọ́ tàbí ìbàjẹ́ ń hàn láti inú ìkọlù àwọn pàtákì ńlá. Ó kojú ìdènà taara ti àwọn pàtákì ìmọ́lẹ̀ àti ìkọlù àti ìfọ́ tí ń yọ́ ti àwọn pàtákì líle tó ní slurries. A lè ṣe é sí oríṣiríṣi ìrísí, títí kan àwọn ìrísí konu àti apá, àti àwọn ohun èlò tó díjú tí a ṣe fún àwọn ohun èlò tó ń ṣiṣẹ́ nínú ṣíṣe àwọn ohun èlò aise.
lAgbara resistance ooru to dara julọ.
Àwọn èròjà carbide silikoni tí a so pọ̀ mọ́ ìhùwàpadà ń fúnni ní ìdènà ooru tó tayọ, ṣùgbọ́n láìdàbí àwọn ohun èlò amọ̀ ìbílẹ̀, wọ́n tún ń so ìwọ̀n kékeré pọ̀ mọ́ agbára ẹ̀rọ gíga.
lAgbára gíga (ó máa ń mú kí ara rẹ̀ yá ní ìwọ̀n otútù).
Carbide Silikoni tí a so pọ̀ mọ́ ìhùwàpadà máa ń pa agbára ẹ̀rọ rẹ̀ mọ́ ní àwọn iwọ̀n otútù gíga, ó sì máa ń ní ìwọ̀n ìṣàn tí kò tó nǹkan, èyí tí ó mú kí ó jẹ́ àṣàyàn àkọ́kọ́ fún àwọn ohun èlò tí ó ń gbé ẹrù ní àárín 1300ºC sí 1650ºC (2400ºC sí 3000ºF).
- Ìwé Ìwádìí Ìmọ̀-ẹ̀rọ
| Ìwé Ìwádìí Ìmọ̀-ẹ̀rọ | Ẹyọ kan | SiSiC (RBSiC) | NbSiC | ReSiC | SiC Sintered |
| Àkójọpọ̀ Silikoni Carbide tí a so pọ̀ | Nitride Bonded Silicon Carbide | Àtúnṣe Silikoni Carbide | Sintered Silikoni Carbide | ||
| Ìwọ̀n púpọ̀ | (g.cm)3) | ≧ 3.02 | 2.75-2.85 | 2.65~2.75 | 2.8 |
| SiC | (%) | 83.66 | ≧ 75 | ≧ 99 | 90 |
| Si3N4 | (%) | 0 | ≧ 23 | 0 | 0 |
| Si | (%) | 15.65 | 0 | 0 | 9 |
| Ṣíṣí Porosity | (%) | <0.5 | 10~12 | 15-18 | 7~8 |
| Agbára títẹ̀ | Mpa / 20℃ | 250 | 160~180 | 80-100 | 500 |
| Mpa / 1200℃ | 280 | 170~180 | 90-110 | 550 | |
| Modulu ti rirọ | GPA / 20℃ | 330 | 580 | 300 | 200 |
| GPA / 1200℃ | 300 | ~ | ~ | ~ | |
| Agbara itusilẹ ooru | W/(m*k) | 45 (1200℃) | 19.6 (1200℃) | 36.6 (1200℃) | 13.5~14.5 (1000℃) |
| Ni idaniloju ti imugboroosi ooru | Kˉ1 * 10ˉ6 | 4.5 | 4.7 | 4.69 | 3 |
| Ìwọ̀n líle Mons (Rigidity) | 9.5 | ~ | ~ | ~ | |
| Iwọn otutu ti o pọju ti o ṣiṣẹ | ℃ | 1380 | 1450 | 1620 (oxid) | 1300 |
- Ọ̀ràn Iṣẹ́Fún àtúnṣe ìdènà sílíkónì kábídììdì:
Ìṣẹ̀dá Agbára, Ìwakùsà, Kẹ́míkà, Pẹ́trọ́kẹ́míkà, Ilé Iṣẹ́ Ìṣẹ̀dá Ẹ̀rọ, Àwọn Ohun Alumọ́ọ́nì àti Ìṣẹ̀dá Ọjà àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ.
Sibẹsibẹ, laisi awọn irin ati awọn alloy wọn, ko si awọn ilana iṣẹ-ṣiṣe ti a ṣe deede fun silicon carbide. Pẹlu ọpọlọpọ awọn akopọ, iwuwo, awọn imuposi iṣelọpọ ati iriri ile-iṣẹ, awọn paati silicon carbide le yatọ ni ibamu pupọ, ati awọn abuda ẹrọ ati kemikali. Yiyan olupese rẹ pinnu ipele ati didara ohun elo ti o gba.

