Кремний карбид (SiC) керамикаlowылылык киңәю коэффициенты, югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары катылыгы, искиткеч җылылык һәм химик тотрыклылыгы аркасында югары температуралы структур керамика өлкәсендә төп материалга әйләнделәр. Алар аэрокосмос, атом энергиясе, хәрби һәм ярымүткәргеч кебек төп өлкәләрдә киң кулланыла.
Ләкин, бик көчле ковалент бәйләнешләр һәм SiCның түбән диффузия коэффициенты аның тыгызлыгын кыенлаштыра. Бу максаттан, тармак төрле синтеринг технологияләрен эшләде, һәм төрле технологияләр белән әзерләнгән SiC керамикасы микроструктура, үзлекләр, куллану сценарийларында зур аермаларга ия. Менә биш төп кремний карбид керамикасының төп үзенчәлекләренә анализ.
1. Басымсыз синтерланган SiC керамикасы (S-SiC)
Төп өстенлекләр: күп формалаштыру процесслары өчен яраклы, аз бәя, форма һәм зурлык белән чикләнми, массакүләм җитештерүгә ирешү өчен иң җиңел ысул. Bor - SiCга бор һәм углерод кушып, кислород күләмен үз эченә алган һәм аны 2000 around тирәсендә инерт атмосферасы астында синтерлаштырып, теоретик тыгызлыгы 98% булган синтерланган организмны алырга мөмкин. Ике процесс бар: каты фаза һәм сыек фаза. Элеккеге тыгызлык һәм чисталык, шулай ук югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм югары температура көче бар.
Типик кушымталар: киемгә чыдам һәм коррозиягә чыдам мөһер боҗраларын һәм сикерү подшипникларын массакүләм җитештерү; Highгары каты, түбән специфик тарту һәм яхшы баллистик күрсәткечләр аркасында, ул машиналар һәм суднолар өчен пуля үткәрми торган корал, шулай ук гражданнар сейфларын һәм акчалата транспорт чараларын саклау өчен киң кулланыла. Аның күп хит каршылыгы гади SiC керамикасыннан өстен, һәм цилиндрик җиңел саклагыч коралның сыну ноктасы 65 тоннадан артып китә ала.
2. Реакция синтезланган SiC керамикасы (RB SiC)
Төп өстенлекләр: искиткеч механик эш башкару, югары көч, коррозиягә каршы тору, оксидлашуга каршы тору; Чиста зурлыкта формалашырга сәләтле түбән температура һәм бәя. Бу процесс углерод чыганагын SiC порошогы белән кушуны үз эченә ала. Highгары температурада эретелгән кремний билетка үтеп керә һәм углерод белән реакциядә β - SiC барлыкка килә, ул оригиналь α - SiC белән кушылып, күзәнәкләрне тутыра. Синтеринг вакытында зурлык үзгәрү кечкенә, аны катлаулы формадагы продуктларны сәнәгать җитештерү өчен яраклы итә.
Типик кушымталар: temperatureгары температуралы мич җиһазлары, нурлы торбалар, җылылык алмаштыргычлар, дезульфуризация очлары; Түбән җылылык киңәйтү коэффициенты, югары эластик модуль һәм чиста формалаштыру характеристикалары аркасында ул космик рефлекторлар өчен идеаль материалга әйләнде; Ул шулай ук кварц стаканны электрон торбалар һәм ярымүткәргеч чип җитештерү җиһазлары өчен ярдәмче итеп алыштыра ала.
3. Кайнар басылган синтерланган SiC керамикасы (HP SiC)
Төп өстенлек: temperatureгары температурада һәм югары басымда синхрон синтеринг, порошок термопластик хәлдә, бу масса күчерү процессына ярдәм итә. Ул түбән температурада һәм кыска вакыт эчендә яхшы бөртекле, югары тыгызлыклы, яхшы механик үзлекләре булган продуктлар җитештерә ала, һәм тулы тыгызлыкка һәм саф синтеринг халәтенә ирешә ала.
Типик кушымта: Башта Вьетнам сугышы вакытында АКШ вертолет экипажы әгъзалары өчен пуля үткәрми торган жилетлар буларак кулланыла, бронь базары кайнар басылган бор карбид белән алыштырыла; Хәзерге вакытта ул күбесенчә югары кыйммәтле сценарийларда кулланыла, мәсәлән, композиция белән идарә итү, чисталык, тыгызлык өчен бик югары таләпләр булган кырлар, шулай ук тузуга чыдам һәм атом сәнәгате кырлары.
4. Рекристизацияләнгән SiC керамикасы (R-SiC)
Төп өстенлек: Синтеринг ярдәмчеләрен өстәргә кирәк түгел, ул ультра югары чисталык һәм зур SiC җайланмалары әзерләү өчен гомуми ысул. Бу процесс тупас һәм нечкә SiC порошокларын пропорциональ рәвештә катнаштыру һәм аларны формалаштыру, 2200 ~ 2450 at инерт атмосферасында синтерлау. Нечкә кисәкчәләр парга әйләнәләр һәм каты кисәкчәләр арасындагы контактта керамика формалаштыралар, катылыгы бриллианттан кала. SiC югары температуралы көчне, коррозиягә каршы торуны, оксидлашуга һәм җылылык шокына каршы торуны саклый.
Типик кушымталар: temperatureгары температуралы мич җиһазлары, җылылык алмаштыргычлар, яну очлары; Аэрокосмик һәм хәрби өлкәләрдә ул двигательләр, койрык канатлары, фузеляж кебек космик корабль структур компонентларын җитештерү өчен кулланыла, алар җиһазларның эшләвен һәм хезмәт срогын яхшырта ала.
5. Кремний SiC керамикасына үтеп керде (SiSiC)
Төп өстенлекләр: сәнәгать производствосы өчен иң кулай, кыска синтеринг вакыты, түбән температура, тулы тыгыз һәм деформацияләнмәгән, SiC матрицасыннан һәм инфилтрацияләнгән Si фазасыннан, ике процесска бүленгән: сыек инфилтрация һәм газ инфилтрациясе. Соңгысы кыйммәтрәк, ләкин яхшырак кремнийның тыгызлыгы һәм бердәмлеге.
Типик кушымталар: түбән үткәргеч эшкәртү, яхшы һава үткәрүчәнлеге һәм түбән каршылык статик электрны юкка чыгарырга ярдәм итә, зур, катлаулы яки буш өлешләр җитештерү өчен яраклы, ярымүткәргеч эшкәртү җайланмаларында киң кулланыла; Highгары эластик модуль, җиңел, югары көч, һава үткәрүчәнлеге аркасында, ул аэрокосмик кырда өстенлекле югары материал, ул космик мохиттәге йөкләргә каршы тора ала һәм җиһазларның төгәллеген һәм куркынычсызлыгын тәэмин итә ала.
Пост вакыты: 02-2025 сентябрь