Ang Silicon Carbide ay may mahusay na resistensya sa kalawang, mataas na mekanikal na lakas, mataas na thermal conductivity, napakababang coefficient ng thermal expansion, at mas mahusay na thermal shock resistance kaysa sa alumincell name na may napakataas na temperatura. Ang Silicon carbide ay binubuo ng tetrahedra ng carbon at silicon atoms na may malalakas na bond sa crystal lattice. Ito ay lumilikha ng isang napakatigas at matibay na materyal. Ang Silicon carbide ay hindi inaatake ng anumang acids o alkalis o tinunaw na asin hanggang 800ºC. Sa hangin, ang SiC ay bumubuo ng isang proteksiyon na silicon oxide coating sa 1200ºC at maaaring gamitin hanggang 1600ºC. Ang mataas na thermal conductivity kasama ang mababang thermal expansion at mataas na lakas ay nagbibigay sa materyal na ito ng pambihirang katangian na lumalaban sa thermal shock. Ang mga silicone carbide ceramics na may kaunti o walang grain boundary impurities ay nagpapanatili ng kanilang lakas sa napakataas na temperatura, na lumalapit sa 1600ºC nang walang pagkawala ng lakas. Ang kemikal na kadalisayan, resistensya sa kemikal na pag-atake sa temperatura, at pagpapanatili ng lakas sa mataas na temperatura ay nagpatanyag sa materyal na ito bilang mga wafer tray support at paddle sa mga semiconductor furnace. Ang electrical conduction ng materyal na tinatawag na Thcell ay humantong sa paggamit nito sa mga resistance heating elements para sa mga electric furnace, at bilang isang mahalagang bahagi sa mga thermistor (temperature variable resistors) at sa mga varistor (voltage variable resistors). Kabilang sa iba pang mga aplikasyon ang mga seal face, wear plates, bearings at liner tubes.
Oras ng pag-post: Hunyo-05-2018