Silikon Karbida mempunyai rintangan yang sangat baik terhadap kakisan, kekuatan mekanikal yang tinggi, kekonduksian terma yang tinggi, pekali pengembangan terma yang sangat rendah, dan rintangan kejutan terma yang lebih baik berbanding sel aluminium pada suhu yang sangat tinggi. Silikon karbida terdiri daripada tetrahedra atom karbon dan silikon dengan ikatan kuat dalam kekisi kristal. Ini menghasilkan bahan yang sangat keras dan kuat. Silikon karbida tidak diserang oleh sebarang asid atau alkali atau garam lebur sehingga 800ºC. Di udara, SiC membentuk salutan silikon oksida pelindung pada suhu 1200ºC dan boleh digunakan sehingga 1600ºC. Kekonduksian terma yang tinggi digabungkan dengan pengembangan terma yang rendah dan kekuatan yang tinggi memberikan bahan ini kualiti tahan kejutan terma yang luar biasa. Seramik silikon karbida dengan sedikit atau tiada bendasing sempadan butiran mengekalkan kekuatannya pada suhu yang sangat tinggi, menghampiri 1600ºC tanpa kehilangan kekuatan. Ketulenan kimia, rintangan terhadap serangan kimia pada suhu, dan pengekalan kekuatan pada suhu tinggi telah menjadikan bahan ini sangat popular sebagai penyokong dulang wafer dan dayung dalam relau semikonduktor. Pengaliran elektrik bahan yang dinamakan sel Th telah menyebabkan penggunaannya dalam elemen pemanasan rintangan untuk relau elektrik, dan sebagai komponen utama dalam termistor (perintang boleh ubah suhu) dan dalam varistor (perintang boleh ubah voltan). Aplikasi lain termasuk permukaan pengedap, plat haus, galas dan tiub pelapik.
Masa siaran: 5 Jun-2018