Ang Silicon Carbide adunay maayo kaayong resistensya sa kaagnasan, taas nga mekanikal nga kusog, taas nga thermal conductivity, ubos kaayo nga coefficient sa thermal expansion, ug mas maayo nga resistensya sa thermal shock kaysa sa alumincell nga adunay taas kaayo nga temperatura. Ang Silicon carbide gilangkoban sa tetrahedra sa carbon ug silicon atoms nga adunay lig-on nga mga bugkos sa crystal lattice. Kini nagpatunghag usa ka gahi ug lig-on nga materyal. Ang Silicon carbide dili maatake sa bisan unsang mga asido o alkali o tinunaw nga asin hangtod sa 800ºC. Sa hangin, ang SiC nagporma og usa ka protective silicon oxide coating sa 1200ºC ug magamit hangtod sa 1600ºC. Ang taas nga thermal conductivity inubanan sa ubos nga thermal expansion ug taas nga kusog naghatag niini nga materyal og talagsaon nga mga kalidad nga resistensya sa thermal shock. Ang mga silicon carbide ceramics nga adunay gamay o walay mga grain boundary impurities nagmintinar sa ilang kusog hangtod sa taas kaayo nga temperatura, nga hapit na sa 1600ºC nga walay pagkawala sa kusog. Ang kemikal nga kaputli, resistensya sa kemikal nga pag-atake sa temperatura, ug pagpabilin sa kusog sa taas nga temperatura naghimo niini nga materyal nga sikat kaayo isip mga wafer tray support ug paddle sa mga semiconductor furnace. Ang electrical conduction sa materyal nga gitawag og Thcell misangpot sa paggamit niini sa mga resistance heating elements para sa mga electric furnace, ug isip usa ka importanteng component sa mga thermistor (temperature variable resistors) ug sa mga varistor (voltage variable resistors). Ang ubang mga aplikasyon naglakip sa seal faces, wear plates, bearings ug liner tubes.
Oras sa pag-post: Hunyo-05-2018