Silicon Carbide wuxuu leeyahay iska caabin aad u fiican oo ku wajahan daxalka, xoog farsamo oo sarreeya, hufnaan kuleyl oo sarreeya, isku-darka aad u hooseeya ee ballaarinta kulaylka, iyo iska caabin shoog kuleyl oo ka wanaagsan aluminiumcell namet heerkul aad u sarreeya. Silicon carbide wuxuu ka kooban yahay tetrahedra oo ah atamka kaarboon iyo silicon oo leh xiriiro xooggan oo ku jira shabagga kiristaalka. Tani waxay soo saartaa walxo aad u adag oo xoog badan. Silicon carbide laguma weeraro wax asiidh ah ama alkali ah ama cusbo dhalaalay ilaa 800ºC. Hawada, SiC waxay samaysaa dahaar silikoon oksaydh oo ilaalin ah oo ah 1200ºC waxaana la isticmaali karaa ilaa 1600ºC. Hufnaanta kulaylka sare oo ay weheliso ballaarinta kulaylka oo hooseeya iyo xoog sare waxay siinayaan walxahan tayo sare oo u adkaysta shoog kuleyl oo heer sare ah. Dhoobada silikoon carbide oo leh wasakh yar ama aan lahayn xuduud hadhuudh ayaa ilaalinaya xooggooda ilaa heerkul aad u sarreeya, iyagoo ku dhow 1600ºC iyada oo aan lahayn khasaaro xoog leh. Nadiifnimada kiimikada, iska caabinta weerarka kiimikada heerkulka, iyo haynta xoogga heerkulka sare ayaa ka dhigtay walxahan mid aad loo jecel yahay sida taageerada saxaaradda wafer iyo paddles ee foornada semiconductor. Gudbinta korontada ee unugyada ayaa horseeday in loo isticmaalo walxaha kululaynta iska caabbinta ee foornada korontada, iyo qayb muhiim ah oo ka mid ah kuleyliyeyaasha (iska caabbinta isbeddelka heerkulka) iyo varistors (iska caabbinta isbeddelka danabka). Codsiyada kale waxaa ka mid ah wajiyada shaabadda, taarikada xirashada, biinanka iyo tuubooyinka dahaarka.
Waqtiga boostada: Juun-05-2018