Di cîhana rastbûna pîşesaziya nûjen de, deformasyonên piçûk ên materyalan pir caran performansa dawîn a alavan diyar dikin.Seramîkên karbîda silîkonê, bi taybetmendiyên xwe yên fîzîkî yên bêhempa, di warê çêkirina asta bilind de dibin "parêzvanekî hişk" ê neçar. Berxwedana bêhempa ya materyalê seramîk ê pêşkeftî li hember deformasyonê standardên performansê ji bo alavên rast ji nû ve pênase dike.
1. Koda zanistî ya hişk
Modula elastîk a materyalek mîna rêzikekê ye ji bo pîvandina hişkbûnê, ku rasterast şiyana wê ya berxwedana li hember deformasyonê di bin stresê de diyar dike. Modula elastîk a seramîkên karbîda silîkonê ji sê qatan zêdetir ji pola asayî ye, ku ew dişibihe îskeleta xurtkirina pola di avahiyan de dema ku zext lê tê kirin - tewra di bin barê hêza bilind a alavên giran de jî, deformasyon tenê 1/4 ji ya materyalên metalî ye.
Ev hişkbûna awarte ji avahiya girêdana kovalent a bihêz a di nav materyalê de derdikeve holê. Her atomek karbonê bi rêya têkiliyên bihêz bi çar atomên silîkonê ve bi zexmî ve girêdayî ye, û avahiyek krîstal a torê ya sê-alî çêdike. Dema ku hêzên derveyî tevbigerin, ev avahiya torê ya sabît dikare bi bandor stresê belav bike û deformasyonê di nav rêza mîkrometerê de kontrol bike. Di warên wekî platformên optîkî yên rastîn û alavên çêkirina nîvconductor de ku toleransa wan ji bo deformasyonê sifir e, ev taybetmendî dibe mifteya misogerkirina rastbûnê.
2, Felsefeya materyalan ku hişkbûn û nermbûnê bi hev re dike yek
Seramîkên karbîda silîkonê ne tenê hişkbûna ultra-bilind nîşan didin, lê di heman demê de performansek berfireh a ecêb jî nîşan didin:
1. Hişk lê ne şikestî: Hêza wê ya xwarbûnê ji ya pola taybet zêdetir e, û tewra di bin zexta wekhev a fîlekî mezin ê ku li ser yek lingî radiweste (nêzîkî 400MPa), ew dîsa jî dikare yekparebûna avahîsaziyê biparêze. Ev têkeliya hêz û hişkbûna bilind pirsgirêka pîşesaziyê ya nazikbûna seramîkên kevneşopî çareser dike.
2. Aramiya germî wekî çiyayekî: Koefîsyenta berfirehbûna germî ya materyalê tenê 1/4ê ya pola ye, û di cudahiya germahiyê ya 200 ℃ de guherîna mezinahîyê kêm e. Bi hev re bi rêberiya germî ya hêja, ew dikare bi lez gradyantên germahîyê hevseng bike û pêşî li kombûna deformasyonê ya ji ber stresa germî bigire.
3. Bêdeformasyon: Di bin zexta domdar de, rêjeya şikestina karbîda silîkonê du caran ji ya materyalên metalî kêmtir e. Ev tê vê wateyê ku her çend deh salan heman bar lê were sepandin jî, guhertinên şeklê wê hîn jî dikarin di bin sînorê tespîtkirina amûrê de werin kontrol kirin.
3, nirxa teknolojîk a hişk
Ev şiyana awarte ya li hember deformasyonê li ber xwe dide, îmkanên pîşesaziyê yên nû diafirîne:
Di sîstemên optîkî yên satelîtê de, piştrast bikin ku neynik di bin cûdahiyên germahiya zêde ya di fezayê de, asta nanometreyî diparêze.
Di dema xebata bi leza bilind de, rastbûna pozîsyona sub-mîkron a platforma tevgerê ya alavên hilberandina waferên nîvconductor biparêzin.
Tewra di bin zexta avê ya kîlometreyekê de jî, aramiya geometrîkî ya avahiya mohrkirî ya odeya zextê ya alavên keşifkirina deryayê ya kûr biparêzin.
Em vê avantaja materyalê bi rêya pêvajoyên nûjen vediguherînin pêşbaziya teknolojîk: bi karanîna rêbazên çêkirinê yên pêşkeftî ji bo zêdekirina dendika materyalê; Bi karanîna teknolojiya pêşkeftî ya patentkirî, hişkbûn tê zêdekirin dema ku hişkbûna pir bilind tê parastin. Her komek materyalan ceribandinên dijwar derbas dike da ku piştrast bike ku hilberên radestkirî li gorî hewcedariyên xerîdar an jî ji wan derbastir in.
Îro, ji ber ku çêkirina bi hûrgilî ber bi pîvana nano ve diçe, seramîkên karbîda silîkonê bi "felsefeya hişk" a xwe - bi karanîna aramiya mutleq a materyalan da ku piştgirîya îmkanên bêdawî yên çêkirinê bike - armanca sereke ya pîşesaziya nûjen şîrove dikin. Ev pêşketina teknolojîk, ku şehrezayiya zanista materyalan dihewîne, dê berdewam bike ku momentuma nûjen a "bikaranîna hişkbûnê ji bo derbaskirina nermbûnê" bixe nav çêkirina alavên asta bilind.
Dema weşandinê: 29ê Nîsanê-2025