ဆီလီကွန်ကာဗိုက်နှင့် ဆီလီကွန်နိုက်ထရိုက်တို့သည် အရည်ပျော်သတ္တုဖြင့် ရေစိုခံနိုင်မှု နည်းပါးသည်။ မဂ္ဂနီဆီယမ်၊ နီကယ်၊ ခရိုမီယမ်သတ္တုစပ်နှင့် သံမဏိတို့ စိမ့်ဝင်ရုံသာမက အခြားသတ္တုများနှင့် ရေစိုခံနိုင်မှု မရှိသောကြောင့် ချေးခံနိုင်ရည် အလွန်ကောင်းမွန်ပြီး အလူမီနီယမ်လျှပ်စစ်ဓာတ်ခွဲလုပ်ငန်းတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုကြသည်။
ဤစာတမ်းတွင်၊ အပူပေးလည်ပတ်နေသော Al-Si သတ္တုစပ်အရည်ပျော်များတွင် recrystallized silicon carbide R-SiC နှင့် silicon nitride bonded silicon carbide Si3N4-SiC တို့၏ ချေးခံနိုင်ရည်ကို လတ္တီတွဒ်များစွာမှ စုံစမ်းစစ်ဆေးခဲ့သည်။
အလူမီနီယမ်-ဆီလီကွန် သတ္တုစပ် အရည်ပျော်မှု ၄၉၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် ~ ၆၂၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် ၁၀၈၀ နာရီ၏ ၉ ကြိမ် အပူလည်ပတ်မှု စမ်းသပ်မှုဒေတာအရ အောက်ပါ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုရလဒ်များကို ရရှိခဲ့ပါသည်။
R-SiC နှင့် Si3N4-SiC နမူနာများသည် ချေးခြင်းအချိန်နှင့်အမျှ တိုးလာပြီး ချေးနှုန်း လျော့ကျသွားသည်။ ချေးနှုန်းသည် လျော့ပါးခြင်း၏ logarithmic ဆက်နွယ်မှုနှင့်အညီဖြစ်သည်။ (ပုံ ၁)
စွမ်းအင်ရောင်စဉ် ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုအရ R-SiC နှင့် Si3N4-SiC နမူနာများတွင် အလူမီနီယမ်-ဆီလီကွန် မရှိပါ။ XRD ပုံစံတွင် အလူမီနီယမ်-ဆီလီကွန် အထွတ်အထိပ်၏ အတိုင်းအတာတစ်ခုသည် မျက်နှာပြင်-ကျန်ရှိသော အလူမီနီယမ်-ဆီလီကွန် သတ္တုစပ်ဖြစ်သည်။ (ပုံ ၂ - ပုံ ၅)
SEM ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုမှတစ်ဆင့်၊ ချေးခြင်းအချိန်တိုးလာသည်နှင့်အမျှ R-SiC နှင့် Si3N4-SiC နမူနာများ၏ ಒಟ್ಟಾರೆဖွဲ့စည်းပုံသည် လျော့ရဲနေသော်လည်း ထင်ရှားသောပျက်စီးမှုမရှိပါ။ (ပုံ ၆ - ပုံ ၇)
အလူမီနီယမ်အရည်နှင့် ကြွေထည်ပစ္စည်းကြားရှိ မျက်နှာပြင်တင်းမာမှု σs/l>σs/g၊ မျက်နှာပြင်များကြားရှိ ရေစိုထောင့် θ သည် >90° ဖြစ်ပြီး အလူမီနီယမ်အရည်နှင့် ကြွေထည်ပစ္စည်းကြားရှိ မျက်နှာပြင်သည် ရေစိုမနေပါ။
ထို့ကြောင့် R-SiC နှင့် Si3N4-SiC ပစ္စည်းများသည် အလူမီနီယမ် ဆီလီကွန် အရည်ပျော်မှုကို ချေးခံနိုင်ရည်တွင် အထူးကောင်းမွန်ပြီး ကွာခြားချက် အနည်းငယ်သာရှိသည်။ သို့သော် Si3N4-SiC ပစ္စည်းများ၏ ကုန်ကျစရိတ်မှာ အတော်လေးနည်းပါးပြီး နှစ်ပေါင်းများစွာ အောင်မြင်စွာ အသုံးချခဲ့သည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၁၈ ခုနှစ်၊ ဒီဇင်ဘာလ ၁၇ ရက်