ဂျပန်သုတေသီများသည် ကြွေထည်ပလတ်စတစ်ဖြတ်တောက်ခြင်း၏ ကန့်သတ်ချက်များကို စူးစမ်းလေ့လာကြသည်

ဂျပန်သုတေသီများသည် Al2O3 ကြွေထည်များနှင့် Si3N4 ကြွေထည်များကို ဖြတ်တောက်ရန် polycrystalline စိန်ကိရိယာများကို အသုံးပြုခဲ့ကြသည်။ ကြမ်းတမ်းသော polycrystalline စိန်ကိရိယာများသည် ဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း ပွန်းစားမှုနည်းပါးပြီး လုပ်ငန်းစဉ်အကျိုးသက်ရောက်မှုကောင်းမွန်ကြောင်း တွေ့ရှိခဲ့သည်။ စိန်ကိရိယာများဖြင့် ZrO2 ကြွေထည်များကို ဖြတ်တောက်သောအခါ၊ ၎င်းသည် သတ္တုဖြတ်တောက်သည့်အခါနှင့် ဆင်တူသောအကျိုးသက်ရောက်မှုကို ရောက်ရှိခဲ့သည်။ ၎င်းတို့သည် ကြွေထည်ပလတ်စတစ်ဖြတ်တောက်ခြင်း၏ ကန့်သတ်ချက်များကို စူးစမ်းလေ့လာခဲ့ကြသည်။ Al2O3 ကြွေထည်များ၏ အရေးပါသောဖြတ်တောက်မှုအနက်မှာ apmax=2um၊ SiC ကြွေထည်များ apmax=1um၊ Si3N4 ကြွေထည်များ apmax=4um (ap>apmax) ဖြစ်ပြီး၊ ကြွေထည်ပစ္စည်းများသည် ကြွပ်ဆတ်ပျက်စီးမှုကို ဖြစ်ပေါ်စေလိမ့်မည်။ ap ဖြစ်သောအခါ