일반적인설명반응결합된 SiC
반응 결합 SiC는 기계적 특성과 내산화성이 우수하며, 비용이 비교적 저렴하여 현대 사회에서 다양한 산업 분야에서 점점 더 많은 관심을 받고 있습니다.
SiC는 매우 강한 공유 결합을 가지고 있습니다. 소결 시 확산 속도는 매우 낮습니다. 동시에 입자 표면은 확산 장벽 역할을 하는 상당히 얇은 산화막을 덮는 경우가 많습니다. 순수 SiC는 소결 첨가제 없이는 거의 소결되지 않고 치밀합니다. 열간 압착 공정을 사용하더라도 적절한 첨가제를 선택해야 합니다. 이론 밀도에 가까운 엔지니어링 밀도에 적합한 재료는 매우 높은 온도에서만 얻을 수 있으며, 이 온도 범위는 1950℃에서 2200℃ 사이여야 합니다. 동시에, 그 형상과 크기는 제한적입니다. SIC 복합재는 기상 증착으로 얻을 수 있지만, 저밀도 또는 얇은 층 재료를 제조하는 데 국한됩니다. 긴 대기 시간으로 인해 생산 비용이 증가합니다.
반응 결합 SiC는 1950년대에 포퍼에 의해 발명되었습니다. 기본 원리는 다음과 같습니다.
모세관 현상으로, 반응성을 가진 액상 실리콘 또는 실리콘 합금이 탄소를 함유하는 다공성 세라믹에 침투하여 반응으로 탄소실리콘을 형성합니다. 새롭게 형성된 탄화규소는 원래 탄화규소 입자와 원위치에서 결합되고, 필러 내 잔류 기공은 함침제로 채워져 치밀화 과정을 완료합니다.
다른 실리콘 카바이드 세라믹 공정과 비교했을 때, 소결 공정은 다음과 같은 특징을 가지고 있습니다:
가공 온도가 낮고, 가공 시간이 짧으며, 특수 장비나 값비싼 장비가 필요 없습니다.
수축이나 크기 변화가 없는 반응 접합 부품
다양한 성형 방법(압출, 사출, 프레스, 주형)。
성형 방법은 더 다양합니다. 소결 과정에서는 가압 없이도 크고 복잡한 제품을 생산할 수 있습니다. 탄화규소의 반응 결합 기술은 반세기 동안 연구되어 왔습니다. 이 기술은 고유한 장점으로 인해 다양한 산업의 주요 관심사 중 하나가 되었습니다.
게시 시간: 2018년 5월 4일