Kinatibuk-ang pagpasabot sa Reaction Bonded SiC

Heneralpagpasabot saReaksiyonGibugkos nga SiC

Ang Reaction Bonded SiC adunay mekanikal nga mga kabtangan ug resistensya sa oksihenasyon. Ang gasto niini medyo barato. Sa karon nga katilingban, kini nakadani og dugang nga atensyon sa lainlaing mga industriya.

Ang SiC usa ka lig-on kaayo nga covalent bond. Sa sintering, ang diffusion rate ubos kaayo. Sa samang higayon, ang nawong sa mga partikulo kasagarang nagtabon sa nipis nga oxide layer nga nagsilbing diffusion barrier. Ang puro nga SiC halos dili sintered ug compact kung walay sintering additives. Bisan kung gamiton ang hot-pressing process, kinahanglan usab nga mopili kini og angay nga mga additives. Sa taas kaayo nga temperatura lamang, makuha ang mga materyales nga angay alang sa engineering density nga duol sa theoretical density nga kinahanglan nga naa sa range gikan sa 1950 ℃ hangtod 2200 ℃. Sa samang higayon, limitado ang porma ug gidak-on niini. Bisan kung ang mga SIC composite makuha pinaagi sa vapor deposition, limitado kini sa pag-andam sa mga low density o thin layer nga materyales. Tungod sa taas nga quiet time niini, mosaka ang gasto sa produksiyon.

Ang Reaction Bonded SiC naimbento ni Popper niadtong dekada 1950. Ang sukaranang prinsipyo mao ang:

Ubos sa aksyon sa capillary force, ang likido nga silicon o silicon alloy nga adunay reactive activity misulod sa porous ceramics nga adunay carbon ug naporma ang carbon silicon sa reaksyon. Ang bag-ong naporma nga silicon carbide gi-bonding sa orihinal nga silicon carbide particles in situ, ug ang nahabilin nga mga pores sa filler gipuno sa impregnating agent aron makompleto ang proseso sa densification.

Kon itandi sa ubang mga proseso sa silicon carbide ceramics, ang proseso sa sintering adunay mosunod nga mga kinaiya:

Ubos nga temperatura sa pagproseso, mubo nga oras sa pagproseso, dili kinahanglan ang espesyal o mahal nga kagamitan;

Mga parte nga gibugkos gamit ang Reaksyon nga walay pagkunhod o pag-usab sa gidak-on;

Nagkalainlaing pamaagi sa paghulma (extrusion, injection, pressing ug pagbubo).

Daghan pang mga pamaagi sa pagporma. Atol sa sintering, ang dagkong gidak-on ug komplikado nga mga produkto mahimong maprodyus nga walay pressurization. Ang teknolohiya sa Reaction Bonded sa silicon carbide gitun-an sulod sa tunga sa siglo. Kini nga teknolohiya nahimong usa sa mga pokus sa lainlaing mga industriya tungod sa talagsaon nga mga bentaha niini.