የሪአክሽን ቦንድድ ሲሲ አጠቃላይ ማብራሪያ

ጄኔራልየምላሽትስስር የተደረገበት SiC

ሪአክሽን ቦንድድ ሲሲ የሜካኒካል ባህሪያት እና የኦክሳይድ መቋቋም አቅም አለው። ዋጋው በአንጻራዊ ሁኔታ ዝቅተኛ ነው። በአሁኑ ማህበረሰብ ውስጥ በተለያዩ ኢንዱስትሪዎች ውስጥ ከጊዜ ወደ ጊዜ እየጨመረ የመጣ ትኩረት ስቧል።

ሲሲ በጣም ጠንካራ የኮቫለንት ትስስር ነው። በሲንተሪንግ ወቅት የስርጭት መጠኑ በጣም ዝቅተኛ ነው። በተመሳሳይ ጊዜ የቅንጣቶቹ ወለል ብዙውን ጊዜ ቀጭን የኦክሳይድ ንብርብር ይሸፍናል ይህም የስርጭት መከላከያውን ሚና ይጫወታል። ንፁህ ሲሲ ያለ ሲንተሪንግ ተጨማሪዎች የተጣበቀ እና የታመቀ አይደለም። የሙቅ-መጭመቂያ ሂደቱ ጥቅም ላይ ቢውልም ተስማሚ ተጨማሪዎችን መምረጥ አለበት። በጣም ከፍተኛ በሆነ የሙቀት መጠን ብቻ ከ1950 ℃ እስከ 2200 ℃ ባለው ክልል ውስጥ መሆን ያለባቸውን ለኢንጂነሪንግ ጥግግት ተስማሚ የሆኑ ቁሳቁሶች ማግኘት ይቻላል። በተመሳሳይ ጊዜ ቅርፁ እና መጠኑ የተገደበ ይሆናል። የSIC ውህዶች በእንፋሎት ክምችት ሊገኙ ቢችሉም፣ ዝቅተኛ ጥግግት ወይም ቀጭን የንብርብር ቁሳቁሶችን በማዘጋጀት ላይ ብቻ የተገደበ ነው። ረጅም ጸጥ ያለ ጊዜ ስላለው የምርት ዋጋ ይጨምራል።

ሪአክሽን ቦንድድ ሲሲ በ1950ዎቹ በፖፐር ተፈለሰፈ። መሰረታዊው መርህ፡

በካፒላሪ ኃይል ተግባር ስር፣ ምላሽ ሰጪ እንቅስቃሴ ያለው ፈሳሽ ሲሊከን ወይም የሲሊከን ቅይጥ በምላሹ ውስጥ ካርቦን እና የተፈጠረውን የካርቦን ሲሊከን ወደ ቀዳዳ ሴራሚክስ ዘልቆ ይገባል። አዲስ የተፈጠረው ሲሊከን ካርቦይድ በቦታው ውስጥ ካሉት የመጀመሪያዎቹ የሲሊከን ካርቦይድ ቅንጣቶች ጋር የተሳሰረ ሲሆን በመሙያው ውስጥ ያሉት ቀሪ ቀዳዳዎች የጥግግት ሂደቱን ለማጠናቀቅ በሚያስተካክለው ወኪል ይሞላሉ።

ከሌሎች የሲሊኮን ካርቦይድ ሴራሚክስ ሂደቶች ጋር ሲነጻጸር፣ የሲንቴሪንግ ሂደቱ የሚከተሉት ባህሪያት አሉት፡

ዝቅተኛ የማቀነባበሪያ ሙቀት፣ አጭር የማቀነባበሪያ ጊዜ፣ ልዩ ወይም ውድ የሆኑ መሳሪያዎች አያስፈልጉም፤

ምንም አይነት የመጠን መቀነሻ ወይም ለውጥ የሌላቸው የግብረመልስ ትስስር ያላቸው ክፍሎች፤

የተለያዩ የቅርጽ ዘዴዎች (ማውጣት፣ መርፌ፣ መጫን እና መፍሰስ)።

ለመቅረጽ ተጨማሪ ዘዴዎች አሉ። በሲንቴሪንግ ወቅት ትላልቅ መጠን ያላቸው እና ውስብስብ ምርቶች ያለ ግፊት ሊመረቱ ይችላሉ። የሲሊኮን ካርቦይድ የሪአክሽን ቦንድ ቴክኖሎጂ ለግማሽ ምዕተ ዓመት ጥናት ተደርጎበታል። ይህ ቴክኖሎጂ ልዩ በሆኑ ጥቅሞቹ ምክንያት የተለያዩ ኢንዱስትሪዎች ትኩረት ከሚሰጣቸው ውስጥ አንዱ ሆኗል።