KINATIBUK-ANG PAGTAN-AW SA REACTION BONDED SILICON CARBIDE
Ang reaksyon nga gibugkos nga silicon carbide, usahay gitawag nga siliconized silicon carbide.
Ang infiltration naghatag sa materyal og talagsaong kombinasyon sa mekanikal, thermal, ug electrical nga mga kabtangan nga mahimong i-tune sa aplikasyon.
Ang Silicon Carbide usa sa pinakagahi nga seramiko, ug nagpabilin ang katig-a ug kusog sa taas nga temperatura, nga nagpasabot nga usa sa labing maayo nga resistensya sa pagkaguba. Dugang pa, ang SiC adunay taas nga thermal conductivity, labi na sa CVD (chemical vapor deposition) grade, nga makatabang sa resistensya sa thermal shock. Katunga ra usab kini sa gibug-aton sa asero.
Base sa kombinasyon sa katig-a, resistensya sa pagkaguba, kainit, ug kaagnasan, ang SiC sagad gipiho alang sa mga nawong sa selyo ug mga piyesa sa bomba nga adunay taas nga performance.
Ang Reaction Bonded SiC adunay pinakabarato nga teknik sa produksiyon nga adunay course grain. Naghatag kini og medyo ubos nga katig-a ug temperatura sa paggamit, apan mas taas nga thermal conductivity.
Ang Direct Sintered SiC mas maayo ang grado kay sa Reaction Bonded ug kasagarang gipiho para sa trabaho nga taas ang temperatura.
Oras sa pag-post: Disyembre-03-2019