Introducción
El carburo de silicio ha sido el material que más se ha empleado para los usos de cerámicas structurales. Las Carakcísticas Etaklar Komoning kengayishi TellMica va Radio, durna-peso, zurema-peso, y lálicade TeRmica, El Manenimamiento de La De Xasta 1650 ºC, han conducido a una amplia gama de usos.
Ishlab chiqarish texnologiyasi
Los carburos de silicio uchun estructural se pueden clasificar como: sinterizado enlazado por reacción, fase líquida, y de estado solido sinterizado. El SiC4 enlazado por reacción es un compuesto de una matriz continua de SiC que tiene silicio de 5 a del 20%, y metall que llena el volumen restante. Materiallar, uglerod va uglerod birikmalari tarkibiga kiruvchi mahsulotlarning deskompozitsiyalari ham, 1500 ºC dan yuqori bo'lgan silicio alrededor 1500 ºC ga to'g'ridan-to'g'ri aloqada bo'lishi mumkin.
El silicio reacciona con la preforma del carbón para formar una structura que tiende un puente sobre al SiC. Bundan tashqari, 1370 ºC dan yuqori bo'lgan tarkibiy qismlarning qoldiqlari to'liq mahsulot bo'ladi. 1410 ºC ga to'g'ri keladi. La preforma se puede to cualquiera de los procesos de cerámica tradicionales. Bundan tashqari, past haroratlarda (1500 ºC) yuqori haroratda (1500 ºC) foydalanish mumkin, birlashma va egiluvchan bo'lishi mumkin bo'lgan toza va toza mahsulotlar, proporsionan un producto de buena calidad con un coste razonable.
Carburo de Silicio xususiyatlari
Las características del módulo elástico y de la expansión térmica son dadas por las características del cristal de SiC en sí mismo, y la difusividad térmica o la difusividad térmica de los carament a difusividád térmica de losistane de lostane. alta que las de la otra cerámica structural. La combinación de un module elástico alto y moderado coeficiente de la expansión térmica convierte al SiC en sezgir al daño por choque térmico. La resistencia al choque térmico es perceptiblemente más baja que la del nitruro de silicio, balki tsirkoniyaning strukturaviy keramikasi ham yuqori. Ilovadan oldin komportamiento térmico es también muy dependiente de la applicación. Misol uchun, Si3N4 sobre harorat o'tkazgichlari va Si3N4 sobre konducir, o'rtacha harorat va harorat o'tkazuvchanligi yuqori harorat o'tkazuvchanligi uchun SiC va funcionamien uchun.
La resistencia a la fractura de SiC tiende a ser más baja que la de la otra keramica struktural lo cual conduce a una cierta preocupación por el uso de SiC en ciertos motores de combustión, tales como rotores de combustión, tales como rotores de combustión de seramik ta'sir ko'rsatadi. Los resultados de la abrasión demuestran buena resistencia a la abrasión angular de la partícula o de la mezcla. SiC enlazado por reacción tiende a ser el más sezgir al desgaste erosivo debido yoki desgaste preferencial de los granos libres conectados a la superficie del silicio. SiC enlazado por reacción también aparece mucho menos resistente a los ácidos, a los álcalis, ya los ácidos de los álcalis, ya los production de alta temperatura de la yonish que el material sinterizado. Sodio bilan sulfato bilan aloqada bo'ling, u karbonat angidridini yoki karbon gazini gaz bilan ta'minlashni, SiC ni korroerse lemente bilan bog'laydi. El carburo sinterizado de silicio también se ha demostrado que también se corroe a temperaturas elevadas en atmosferas que contenían hidrógeno.
Aplicaciones del Carburo de Silicio
Yuqori haroratga mos keladigan past haroratni pasaytirish uchun funcionamiento uchun foydalanish. Los usos del SiC son tales como inyectores de chorro de arena, sellos automotores de la bomba de agua, cojinetes, komponentlar de la bomba, y dados de extrusión que utilizan la alta dureza, resistencia de la abrasión, y resistencia de la abrasión, y resistencia de la abrasión. usos estructurales a elevada temperatura se extienden desde las gargantas del inyector del cohete hasta los rodillos del horno y la combinación de la alta conduvidid térmica, de la dureza y de la stabilidad a alta temperatura hace que se fabrique tublos de fabrique tublos de fabrique de la estabilidad de carburo de silicio.
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Yuborilgan vaqt: 20-avgust-2018-yil