Technik

  1. Virdeeler mëcht Wiertche widdersprach Silicon Carbide

Reaktioun Chineesen Silicon Carbide (RBSC, oder SiSiC) Produkter Offer extrem hardness / ofreiffesten Resistenz an mëttelméisseg chemesch Stabilitéit an aggressiv Ëmfeld. Silicon Carbide ass e syntheteschen Material datt héich performant Charakteristiken geet ënner anerem:

exzellent chemesche Resistenz.

Der Stäerkt vun RBSC ass bal 50% méi grouss wéi déi vun de meeschte nitride Silicon carbides Wiertche widdersprach. RBSC ass der excellent corrosion Resistenz an antioxidation Keramik .. Et kann an eng Villfalt vun desulpurization nozzle (FGD) gemaach ginn.

exzellent zouzedrécken an Impakt Resistenz .

Et ass pinnacle vun grouss Skala ofreiffesten resistent géint Keramik Technologie. RBSiC héich hardness hunn dass vun Diamanten verbitt. Entworf fir Benotzung vun Uwendungen fir grouss Aarten wou refractaire hierer vun Silicon Carbide rau zouzedrécken oder Schued vum Impakt vu grousse Deelchen sinn suer-. Resistent géint direkt impingement vun Liichtjoer Deelchen souwéi Impakt an hëlze ofreiffesten vun schwéieren amuletum mat magesch. Et kann an eng Villfalt vun Aarten gemaach ginn, dorënner Cornet an Kopp Aarten, wéi och méi komplex esou Stécker fir Equipement an der Veraarbechtung vun Matière première Équipe entworf.

exzellent thermesch Schock Resistenz.

Reaktioun Wiertche widdersprach Silicon Carbide Komponente déi staark thermesch Schock Resistenz mee Géigesaz traditionell Keramik, si kombinéieren och niddreg Dicht mat héich mechanesch Kraaft.

High Stäerkt (Gewënn Kraaft um Temperatur).

Reaktioun Wiertche widdersprach Silicon Carbide datt déi meescht vu senge mechanesch Kraaft um nik Temperaturen a geet ganz nidderegen Niveau vun ugehalen, et déi éischt presentéiert opbauen-Träger Applikatiounen an der Rei 1300ºC zu 1650ºC (2400ºC zu 3000ºF) bruecht.

  1. Technesch Daten-Blat

technesch Datasheet

Eenheet

SiSiC (RBSiC)

NbSiC

ReSiC

testweis Léift!

Reaktioun Chineesen Silicon Carbide

Nitride Chineesen Silicon Carbide

Recrystallized Silicon Carbide

Testweis Silicon Carbide

normaler Dicht

(g.cm 3)

≧ 3,02

2.75-2.85

2,65 ~ 2.75

2,8

Léift!

(%)

83,66

≧ 75

≧ 99

90

Si3N4

(%)

0

≧ 23

0

0

si

(%)

15,65

0

0

9

Open Porosity

(%)

<0,5

10 ~ 12

15-18

7 ~ 8

Béie Kraaft

Mpa / 20 ℃

250

160 ~ 180

80-100

500

Mpa / 1200 ℃

280

170 ~ 180

90-110

550

Modulus vun scho

GPA / 20 ℃

330

580

300

200

GPA / 1200 ℃

300

~

~

~

thermesch Leit

W / (m * k)

45 (1200 ℃)

19.6 (1200 ℃)

36.6 (1200 ℃)

13,5 ~ 14,5 (1000 ℃)

Confficient vun thermesch Expansioun

K 1 * 10 ˉ6

4.5

4,7

4,69

3

Mons "hardness Skala (Léin)

 

9,5

~

~

~

Max-schaffen temparature

1380

1450

1620 (oxid)

1300

  1. Industrie Case  Fir Reaktioun Chineesen Silicon Carbide:

Power Generation, Biergbau, Chemeschen, Petrochemical, Kiln, Maschinnen Fabrikatioun Industrie, Mineralstoffer & Metallurgy an sou op.

dsfdsf

sdfdsf

Allerdéngs Géigesaz Metaller an hir Alliagen, et gi keng standardiséierte Industrie Performance Critèrë fir Silicon Carbide. Mat enger breet Palette vun kucke, Inhaltsverzeechnes, Fabrikatioun Techniken a Betrib Erfahrung, Silicon Carbide Komponente kënnen drastesch an Konsequenz ënnerscheeden, wéi och als mechanesch a chemesch Eegeschaften. Ärer Wiel vun Fournisseur bestëmmt den Niveau an Qualitéit vun der Material Dir kritt.


WhatsApp Online Chat !